Электронное учебно-методическое пособие по учебной дисциплине Технология и оборудование литографических процессов для специальности 2-41 01 31 Микроэлектроника

Примерный перечень вопросов к ОКР №1

1Изложите назначение и этапы фотолитографии.

2Охарактеризуйте методы повышения адгезии фоторезиста.

3Охарактеризуйте свойства фоторезиста.

4Поясните классификацию литографических процессов.

5Изложите методы нанесения фоторезиста, их возможности и ограни-

чения.

6Предложите контрольные процессы на АГМО «Лада - 125».

7Охарактеризуйте состав и унифицированные узлы линии фотолитографии «Лада - 125».

8Охарактеризуйте методы сушки и задубливания фоторезиста.

9Охарактеризуйте конструкцию и принцип работ АНФ «Лада - 125».

10Охарактеризуйте конструкцию и принцип работ АГМО «Лада - 125». Определите режимы процесса очистки.

11Определите методику контроля качества слоя фоторезиста, виды брака, способы предупреждения и устранения.

12Охарактеризуйте технические характеристики, конструкцию и принцип работы установки ЭМ-576.

13Охарактеризуйте технические характеристики, конструкцию и принцип работы установки ЭМ-584.

14Охарактеризуйте состав и особенности линии фотолитографии

«Лада -125».

15Проведите сравнительный анализ контактной и проекционной фотолитографии.

Примерный перечень вопросов к ОКР №2

1 Поясните классификацию литографических фотошаблонов.

2 Охарактеризуйте маршруты изготовления фотошаблонов.

3 Поясните влияние дефектов фотошаблонов на качество фотолитогра-

фии.

4 Охарактеризуйте технологический процесс изготовления фотошабло-

нов.

5 Поясните механизм проявления позитивных и негативных фоторези-

стов.

6 Изложите методику выбора режимов проявления фоторезиста.

7 Изложите методы проявления фоторезистов.

8 Охарактеризуйте конструкцию оборудования для проявления (установки Лада – 125, Лада – 150, Рельеф и др.).

9Предложите методику контроля качества проявления. Назовите основные виды брака и их причины. Предложите способы предупреждения и устранения брака.

10Охарактеризуйте методы задубливания фоторезиста и критерии выбора режимов процесса.

11Охарактеризуйте методику жидкостного травления технологических слоев SiO2, Si3N4, Al и др.; требования к качеству травления.

12Охарактеризуйте оборудование для жидкостного травления технологических слоев (установки типа ЩЦМ 3.260.212, линия «Кубок»).

13Охарактеризуйте методы «сухого» травления технологических слоев, их преимущества и ограничения.

14Охарактеризуйте оборудование для плазмохимического травления.

15Изложите методы удаления фоторезиста. Требования к качеству.

16Изложите методы литографии больших энергий (электронорентгено- ионолитографии).

Перечень учебных изданий и информационно - аналитических материалов

1 Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии. В 3 томах. Том II / Под редакцией д т.н. А.Г.Турцевича - Минск : Интегралполиграф, 2003. – 736 с.

2 Лабораторный практикум / Л.П.Ануфриев [и др.]. – Минск : Интегралполиграф 2006. – 80 с.

3 Литография в производстве интегральных микросхем / Ю.А.Родионов. – Минск : Дизайн ПРО, 1998. – 96 с.

4 Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники. Том 2 / А.П.Достанко [и др.]. Минск : Амалфея, 2001. – 422 с.

5 Технологии изделий интегральной электроники / Л.П.Ануфриев [и др.]. - Минск : Амалфея, 2001.

6 Технологическое оборудование для микроэлектроники / С.В.Камлюк, В. С. Камлюк – Минск : РИПО, 2014. – 391 с.