лаб 1 / lab1_7sem_PE-1

Обработка результатов.

1. График зависимости логарифма тока насыщения ln от обратной температуры .

Нахождение значений тока насыщения для разных температурах при R=1кОм

Т = 22°C Т = 39°C Т=58°C

U = -2,99 мВ U = -6,45 мВ U = -20,75 мВ

= 0,00299 мА = 0,00645 мА = 0,02075 мА

Зависимость тока насыщения от температуры:

С помощью МНК находим контактную разность потенциалов :

мы знаем, что по определению , эта формула имеет вид y=ax+b где: y =

a =

b =

x =

По МНК найдем:

a = (-5.3 0.5)*

= = = 0.457125 В

= = = 0.043125 В

= (0.5 0.1) В

2. Вольт-амперная характеристика диода вблизи нулевых значений тока и напряжения для всех температур.

Вольт-амперные характеристики диода вблизи нулевых значений тока и напряжения:

График зависимости вольт-амперных характеристик диода вблизи нулевых значений тока и напряжения:

По касательной к вольт-амперной характеристике в точке U=0 имеем R0 = :

При Т = 22°C R0 = = 19,23 кОм

При Т = 39°C R0 = = 8 кОм

При Т = 58°C R0 = = 2 кОм

3. График зависимости логарифма дифференциального сопротивления от обратной температуры.

С помощью МНК находим контактную разность потенциалов : мы знаем, что по определению , эта формула имеет вид y=ax+b где: y =

a =

b =

x =

По МНК найдем:

a = (6,13 0,74)*

= = = 0.529 В

= = = 0.064 В

= (0.53 0.07) В

Вывод: В данной работе были исследованы расположения уровней энергии и распределения потенциалов в зоне контакта по­лупроводника и металла, определены условий возникновения барьера Шоттки, сняты вольт-амперной характеристики диода с барье­ром Шоттки при различных температурах, определены контактные разности потенциалов между по­лупроводником и металлом двумя способами.

Из зависимости логарифма тока насыщения от обратной температуры:

= (0.46 0.05) В

Из зависимости логарифма дифференциального сопротивления от обратной температуры:

= (0.53 0.07) В

Табличное значение разности потенциалов: = 0,52 В.

Расчеты обоими способами проведены успешно и близки к табличному значению.