- •Введение
- •1. Свободный электрон. Электрон в твердом теле
- •1.1. Плоская волна
- •1.2. Волновой пакет
- •1.3. Расчет движущегося волнового пакета
- •2. Зонная структура полупроводников
- •2.1. Формирование ковалентного кристалла
- •2.2. Кристаллическая решетка
- •2.3. Индексы Миллера
- •2.4. Зона Бриллюэна. Зонная структура полупроводников
- •2.5. Эффективная масса носителей заряда. Ширина запрещенной зоны
- •2.6. Проявление зонной структуры полупроводников в различных явлениях. Масса плотности состояний
- •2.7. Твердые растворы полупроводников
- •3. Дефекты и ПРИМЕСИ
- •3.1. Свойства примесей и дефектов
- •3.2. Водородоподобные примеси
- •4.1. Функция распределения Ферми–Дирака. Плотность разрешенных состояний
- •4.3. Уравнение электронейтральности
- •4.4. Основные и неосновные носители заряда
- •5.1. Основные механизмы рассеяния. Общие положения
- •5.2. Рассеяние носителей заряда на динамических дефектах
- •5.3. Рассеяние на статических дефектах (ионизованная примесь)
- •5.4. Смешанное рассеяние носителей заряда
- •6. Неравновесные носители заряда в полупроводниках. ГЕНЕРАЦИЯ И РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
- •6.1. Квазиуровни Ферми
- •6.2. Скорости генерации и рекомбинации
- •6.3. Основные уравнения для расчета неравновесных носителей заряда
- •6.5. Рекомбинационные явления в полупроводниках
- •6.6. Рекомбинация Шокли–Рида через статические дефекты
- •Список РЕКОМЕНДУЕМОЙ литературы
- •ПРИЛОЖЕНИЕ
- •Оглавление
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
В. И. ЗУБКОВ Г. Е. ЯКОВЛЕВ
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Учебно-методическое пособие к практическим занятиям
Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
2022
1
УДК 538.958:538.935
ББК В379я7
З91
Зубков В. И., Яковлев Г. Е.
З91 Физика полупроводников: учеб.-метод. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ
«ЛЭТИ», 2022. 70 с.
ISBN 978-5-7629-2973-8
Содержит задачи и методические указания к практическим занятиям по физике полупроводников в пределах односеместрового курса. Подбор задач соответствует содержанию учебного пособия «Физика полупроводников» (авторы Виолина Г. Н., Зубков В. И., 2017 г.).
Предназначенодлястудентов3-го и 4-гокурсов,обучающихсяпонаправ- лениям 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.03.01 «Микросистемная техника и нанотехнологии» для поддержки дисциплин «Физика полупроводников», «Физика конденсированного состояния», «Физика твердого тела». Будет полезно магистрантам и студентам бакалавриата других специальностей, а также специалистам в области физики и материаловедения полупроводников.
УДК 538.958:538.935
ББК В379я7
Рецензент д-р физ.-мат. наук, проф. А. А. Липовский (СПбАУ РАН им. Ж. И. Алфёрова).
Утверждено редакционно-издательским советом университета
в качестве учебно-методического пособия
ISBN 978-5-7629-2973-8 |
© СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2022 |
2
ВВЕДЕНИЕ
Полупроводники – широкий и бурно развивающийся класс материалов микроэлектроники, основным признаком которых является возможность управлять проводимостью и другими электрическими характеристиками.
Этим они кардинально отличаются от металлов и диэлектриков, лежащих по противоположным сторонам широкогодиапазонаэлектрического сопротивления. С электротехнической точки зрения к полупроводникам относят материалы с удельным электрическим сопротивлением в диапазоне10–2…109 Ом·см.
Физический подход определяет полупроводник как материал, имеющий запрещенную зону шириной до ~ 3.5 эВ. В последние несколько лет эти общепринятые количественные определения полупроводника становятся менее строгими, так как с развитием технологий и аналитической базы оказывается возможным управлять электрическими характеристиками все более широкозонных диэлектрических материалов (с шириной запрещенной зоны до 6.2 эВ, как у нитрида алюминия), т. е. фактически переводя их в разряд полупроводников.
Настоящееизданиесодержитзадачи иметодическиеуказания к практическим занятиям по физикеполупроводниковв пределах односеместрового курса и предназначено для студентов 3-го и 4-го курсов. Частично содержание задачника базируется на материале изучаемых ранее дисциплин «Физика конденсированного состояния» и «Физика твердого тела».
Представленные в издании задачи служат как для аудиторного, так и для самостоятельного изучения. Часть задач снабжена ответами либо указаниями; другая часть содержит развернутые решения, раскрывающие лаконичные результаты, представленныевучебномпособии «Физикаполупроводников» (авторы Виолина Г.Н., Зубков В. И., 2017 г.). Для контроля усвоения материала в середине семестра предусмотрено проведение контрольной работы. В контрольную работу входят письменные ответы на 8 вопросов по двум вариантам.
3
