Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ОТЧЕТ ЭЛЕКТРОНИКА ЛБ1 copy (6)

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
05.11.2025
Размер:
138.34 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

Кафедра «Электроники»

Отчет по лабораторной работе №1

по дисциплине “Электроника” на тему:

“ИССЛЕДОВАНИЕ ИДЕАЛИЗИРОВАННОГО Р-N ПЕРЕХОДА”

Вариант №3

Выполнили студенты группы БИК2406: Епланов Р., Феоктистова А.

Проверили: Кириллов И., Пресняков С.

Москва, 2025г.

1. Цель работы

Целью работы является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь р-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:

– контактная разность потенциалов;

– толщина;

– тепловой ток (ток насыщения);

– напряжение и тип пробоя;

– барьерная ёмкость.

2. Результат выполненной работы

На рисунке 1 изображена схема p-n перехода с исходными параметрами.

Рисунок 1 – p-n переход при исходных данных

Чтобы увеличить величину напряжения лавинного пробоя, уменьшим концентрацию донорной примеси до , так как в формуле для расчета напряжения лавинного пробоя находится в обратной пропорциональности от примеси в базе.

На рисунке 2 показана конструкция p-n перехода с увеличенным напряжение лавинного пробоя.

Рисунок 2 – p-n переход с увеличенным напряжением пробоя

Чтобы уменьшить барьерную емкость, уменьшаем площадь p-n перехода до

Рисунок 3 – p-n переход с уменьшенной барьерной емкостью

Чтобы уменьшить тепловой ток, уменьшаем площадь p-n перехода до и увеличиваем концентрацию донорной примеси до .

Рисунок 4 – p-n переход с уменьшенным тепловым током

Таблица 1 – Результаты исследований

Характеристики

p-n перехода

Исходный вариант

Вариант с увеличенным

Вариант с уменьшенной

Вариант с уменьшенным

Исходный вариант

Тип п/п

GaAs

GaAs

GaAs

GaAs

Результаты при T = 300K

, В

1.16

1.28

, мкм

4.09

1.33

, А

1.51

1.43

, В

8.66

, В

5.75

5.75

, Ф

2.82

2.68

3. Вывод

В результате проделанной работы мы установили основные характеристики идеализированного р-n перехода по исходным данным.

Соседние файлы в предмете Электроника