Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ЛР 2 по ОКиТПЭС

.odt
Скачиваний:
0
Добавлен:
18.10.2025
Размер:
364.15 Кб
Скачать

Федеральное агентство связи

Ордена трудового красного знамени федеральное государственное

бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«Московский технический университет связи и информатики»

Кафедра Электроника

Лабораторная работа №1к

Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных микросхем

Выполнил студент

группы БРР2201:

Морозов М.И.

Проверил:

Аристархов Г. М.

Москва 2025

1.1. Цель работы и вариант

Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).

Бригада 5, Вариант 3

1.2. Исходные данные

Таблица 1 – исходные данные

 

R кОм, С пФ

R, C

P

Uраб

Fраб

tg

N студ. в бригаде

3

Отн. ед.

(%)

мВт

В

Гц

Отн. ед.

R1

30

0.18 (18%)

3.5

R2

4.2

0,13 (13%)

8

R3

1.6

0.08 (8%)

15

R4

0.35

0.1 (10%)

2

C1

80

0.3 (30%)

8

7.5*105

2.5*10-3

Диапазон температур

Шаг коорд. сетки 0.01 мм

 1.3. Принципиальная электрическая схема

Риc. 1 - принципиальная электрическая схема

2. Расчетная часть

Дано:

Таблица 1 — размеры деталей

Резисторы

Элемент

R1

R2

R3

R4

Тип

меандр

прямоуг

прямоуг

прямоуг

b,мкм

100

310 = 300

690 = 700

66.5=70

l,мкм

3000

1300

431.25 = 430

190 = 200

m

5

A,мкм

1100

B,мкм

585.714=590=600

t,мкм

220

Конденсаторы

Элемент

С

Тип

перекрест

A,мкм

1200

B,мкм

1200

An,мкм

-

Bn,мкм

-

Масштаб 10:1

Соседние файлы в предмете Основы конструирования и технологии производства электронных схем