
- •Лекция 1 Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды
- •1.1 Электронно-дырочный переход и его вольт-амперная характеристика
- •1.2 Емкость электронно-дырочного перехода
- •1.3 Полупроводниковые диоды и их характеристики
- •1.3.1 Выпрямительные диоды
- •1.3.2 Полупроводниковые стабилитроны
- •1.3.3 Импульсные диоды
- •1.3.4 Высокочастотные диоды
- •1.3.5 Туннельные диоды
- •1.3.6 Варикапы
- •1.3.7 Светодиоды
- •1.3.8 Фотодиоды
- •1.3.9 Оптопары
- •1.3.10 Магнитодиоды
1.3.2 Полупроводниковые стабилитроны
Полупроводниковые
стабилитроны предназначены для
стабилизации напряжений. Их работа
основана на использовании явления
электрического пробоя
-
перехода при включении диода в обратном
направлении.
Механизм
пробоя может быть туннельным, лавинным
или смешанным. У низковольтных
стабилитронов (с низким сопротивлением
базы) более вероятен туннельный
пробой.
У стабилитронов с высокоомной базой
пробой носит лавинный
характер.
Материалы, используемые для
-
перехода стабилитронов, имеют высокую
концентрацию примесей. При этом
напряженность электрического поля в
-
переходе значительно выше, чем у обычных
диодов. При относительно небольших
обратных напряжениях в
-переходе
возникает сильное электрическое поле,
вызывающее его электрический пробой.
В этом режиме электрический пробой не
переходит в тепловой.
Стабилитроны изготавливают из кремния, обеспечивающего получение необходимой вольт-амперной характеристики. Германиевые диоды для стабилизации напряжения непригодны, так как пробой у них легко приобретает форму теплового, и характеристика в этом режиме имеет неустойчивый падающий участок.
Вольт-амперная характеристика полупроводникового стабилитрона показана на рисунке 1.9.
Рисунок 1.9- Условное обозначение (а);
вольт-амперная характеристика стабилитрона (b)
В
точке, где пробой является достаточно
устойчивым, токобычно имеет величину порядка 50-100 мкА.
После этой точки ток резко возрастает,
и допустимая величина его
ограничивается
лишь мощностью рассеяния
:
.
(1.7)
В современных стабилитронах максимальный ток колеблется в пределах от нескольких десятков миллиампер до нескольких ампер. Превышение максимального тока приводит к выходу стабилитрона из строя.
Рабочее
напряжение стабилитрона, являющееся
напряжением пробоя -
перехода, зависит от концентрации
примесей в
-
структуре и лежит в пределах 4 - 200 В.
Напряжение стабилитрона в рабочем режиме мало зависит от тока, что является основой применения этих приборов. На рабочем участке характеристики
(от
до
)
зависимость напряжения от тока
характеризует дифференциальное
сопротивление стабилитрона:
.
(1.8)
Оно составляет несколько десятков и даже единиц Ом, причем меньшая величина соответствует стабилитронам, имеющим рабочее напряжение 7 - 15 В и большой рабочий ток.
Кроме перечисленных выше, к параметрам стабилитрона относится температурный коэффициент напряжения ТКН, показывающий относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на один градус:
.
(1.9)
Стабилитроны широкого
применения обладают сравнительно
высоким температурным коэффициентом
напряжения (≈
10-3К-1). Более высокой
температурной стабильностью обладаютпрецизионные стабилитроны(рисунок
1.10,а), в которых
последовательно соединены несколько
-
переходов. Один из них - стабилизирующий
- включен в обратном направлении, другие
- термокомпенсирующие - включены в прямом
направлении.
Рисунок 1.10 - Структура прецизионного стабилитрона с термокомпенсирующими переходами (а); условное обозначение двуханодного диода (b)
При повышении температуры напряжение на стабилизирующем переходе растет, а на термокомпенсирующих переходах – уменьшается; их количество можно подобрать так, что, результирующее напряжение на стабилитроне изменяется незначительно и температурный коэффициент получается около
10-5К-1.
Для стабилизации двухполярных напряжений
и для защиты электрических цепей от
перенапряжений обеих полярностей
применяют двуханодные стабилитроны
(рисунок 1.10,b), которые
имеют симметричную вольт-амперную
характеристику. Такие стабилитроны
изготовляют путем введения примесей в
пластину кремния одновременно с двух
сторон. При этом образуются два-перехода,
включенных встречно. Для ограничения
амплитуды импульсов напряжения
разработаны импульсные, «быстрые»
стабилитроны. При мгновенном изменении
напряжения нарастание лавины в них
происходит за очень короткий промежуток
времени (порядка 10-11с). Это
обстоятельство позволяет использовать
импульсный стабилитрон в качестве
искробезопасного барьера, который
предотвращает попадание высокого
напряжения в зону повышенной
взрывоопасности.
Разновидностью
стабилитрона является стабистор —
полупроводниковый диод, в котором для
стабилизации напряжения используется
прямая ветвь вольт-амперной характеристики.
Отличительной особенностью стабисторов,
по сравнению со стабилитронами, является
меньшее напряжение стабилизации, которое
составляет примерно 0,7 В. Для увеличения
напряжения стабилизации используют
последовательное соединение нескольких
стабисторов, смонтированных в одном
корпусе или сформированных в одном
кристалле. Для увеличения крутизны
прямой ветви вольт-амперной характеристики
базу стабистора делают низкоомной.
Из-за малого сопротивления базы толщина
-
перехода оказывается очень небольшой,
поэтому напряжение пробоя стабисторов
не превышает нескольких вольт.