Изумрудов Райская лекции

появляется проводящий канал. Через него эмиттер транзистора IGB (коллектор транзистора VT4) оказывается соединенным с базой транзистора

VT4.

Это приводит к тому, что он полностью отпирается, и падение напряжения между коллектором транзистора IGB и его эмиттером становится равным падению напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4,

просуммированному с падением напряжения UСИ на транзисторе VT1.

В связи с тем, что падение напряжения на р-n-переходе уменьшается с увеличением температуры, падение напряжения на открытом IGBтранзисторе в определенном диапазоне токов имеет отрицательный температурный коэффициент, который становится положительным при большом токе. Поэтому падение напряжения на IGB-транзисторе не опускается ниже порогового напряжения диода (эмиттерного перехода VТ4).

При увеличении напряжения, приложенного к транзистору IGB, увеличивается ток канала, определяющий ток базы транзистора VT4, при этом падение напряжения на IGB-транзисторе уменьшается.

При запирании транзистора VT1 ток транзистора VT4 становится малым, что позволяет считать его запертым. Дополнительные слои введены для исключения режимов работы, характерных для тиристоров, когда происходит лавинный пробой. Буферный слой n+ и широкая базовая область n обеспечивают уменьшение коэффициента усиления по току p-n-p- транзистора.

Вольт-амперные характеристики и схема замещения IGBT приведены на рис. 18.3.

IGB-транзисторы могут быть использованы для работы в линейном режиме, но пока в основном их применяют в ключевом режиме (коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1,2 кА). При этом изменения напряжений у коммутируемого ключа характеризуются кривыми, показанными на рис. 18.4.

61

СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Величко Д. В., Рубанов В. Г. Полупроводниковые приборы и устройства: учеб. пособие. Белгород: Изд-во БГТУ им. В. Г. Шухова, 2006.

184 с.

ГОСТ 15133–77. Приборы полупроводниковые. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1989.

Зятьков И. И., Изумрудов О. А., Марасина Л. А. Расчет параметров активных элементов электронной техники: метод. указания по курсовому проектированию. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. 60 с.

Микроволновые полупроводниковые приборы: конспект лекций / А. М. Абдуллаев, Х. К. Арипов, А. М. Афанасьева, Г. Н. Кузьмина. Ташкент: ТУИТ, 2003. 40 с.

Нойкин Ю. М., Нойкина Т. К., Усаев А. А. Полупроводниковые приборы СВЧ: учеб. пособие. 2014. URL: http://www.phys.rsu.ru/~kobrin/sem/ (дата

пособие. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2003. 479 с.

Прянишников В. А. Электроника: курс лекций. СПб.: Корона принт,

полупроводниковых приборов и основы микроэлектроники: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999. 64 с.

Чиркин Л. К., Андреев А. П., Ганенков Н. А. Физические основы микроэлектроники: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2001.

120 с.

Sheng S. Li. Semiconductor Physical Electronics. New York: Springer Science+Business Media, LLC, 2006. URL: http://dx.doi.org/10.1007/0-387- 37766-2 (дата обращения: 16.06.2014).

63