Практика ИДЗ / фомнэ3

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)

Кафедра Микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры (МИТ)

ДЗ № 3

По дисциплине «ФОМНЭ»

Вариант № 4

Выполнил студент гр. фыв		фыв
Преподаватель Доцент кафедры МИТ		фыв

Санкт-Петербург

фыв

Задание.

Рассчитать величину крутизны в области насыщения для транзистора с МДП структурой, обращая особое внимание на размерность.

Характеристики материала (ε, ε_0, μ) – найти самостоятельно в справочниках. (μ приповерхностная подвижность носителей, в 2,5 раза меньше объемной). В таблице с заданиями: М1 – материал подложки; W – ширина канала в мкм; L - длина канала в мкм; М2 - материал подзатворного окисла; d - толщина подзатворного окисла в нм.

Исходные данные:

№	ФИ	Распыляемый материал	Масса г.	Диаметр подложки мм.	Расстояние от испарителя до подложки мм.
4	фыв	Cu	1,5	200	400

Решение:

Крутизну прибора в области насыщения вычислим по следующей формуле:

S = μ • С_з • U_си / L²,

где μ — подвижность электронов в канале; С₃ — емкость затвора; L — длина канала; U_си — напряжение сток-исток при насыщении (примем его за 8В).

Емкость затвора: фФ.

Следовательно, крутизна характеристики мкА/В.

Вывод:

В результате расчетов была определена величина крутизны в области насыщения для транзистора с МДП-структурой с использованием заданных исходных данных. Используя формулу для расчета крутизны, была получена величина крутизны характеристики транзистора S = 71,38 мкА/В при μ = 0,13 м²/В•с, что характерно для кремниевых транзисторов.

Электрические свойства транзистора с МДП-структурой, можно оценить по его крутизне, емкости затвора, длине канала. Исходя из полученных результатов, можно сделать вывод, что транзистор с МДП-структурой обладает достаточно высокой крутизной характеристики и емкостью затвора, что свидетельствует о его хороших электрических свойствах и возможности использования в различных радиоэлектронных устройствах, таких как усилители мощности и усилители низкой частоты. Также такой транзистор может применяться в схемах коммутации, ключевых схемах, схемах управления и регулирования. Такой транзистор имеет ряд плюсов: высокую скорость переключения, низкий уровень шума, низкое электропотребление. Притом обладает ограниченной мощностью, чувствителен к температуре и сложнее в производстве чем биполярный транзистор.

Таким образом, результаты расчетов позволяют оценить электрические свойства транзистора с МДП-структурой и использовать полученные данные для дальнейшего анализа и проектирования радиоэлектронных устройств на его основе.