1. Характеристики транзистора

Для снятия входной, проходной и семейства выходных характеристик транзистора используется схема, представленная на рисунке Рисунок 1 .1 – Схема для снятия характеристик транзистора

Рисунок 1.1 – Схема для снятия характеристик транзистора

При снятии входной [ ] и проходной [ ] характеристик снимается зависимость токов базы и коллектора от напряжения, подаваемого на базу. Полученные данные приведены в таблице Таблица 1 .1 – Данные для входной и проходной характеристик, графики входной и проходной характеристик приведены на рисунках Рисунок 1 .2 – Входная характеристикаи Рисунок 1 .3 – Проходная характеристика соответственно.

Таблица 1.1 – Данные для входной и проходной характеристик

Iб, мкА	25	50	100	200	300	400	500	600	700	800
Iк, мА	2	4	8,1	15,9	23,6	31,01	38,18	45,15	51,34	58,56
Uб, мВ	669	688,11	708,4	730	744	754,8	763,8	771,7	778,8	785,2

Рисунок 1.2 – Входная характеристика

Рисунок 1.3 – Проходная характеристика

По рисункам Error: Reference source not found и Error: Reference source not found выбирается рабочая точка:

I_б = 700 · 10^-6А, I_к = 51,94 · 10^-3А, U_б = 778,8· 10^-3В

Для снятия семейства выходных характеристик необходимо изменять значение питающего напряжения при постоянном токе базы для нескольких значений тока базы.

Полученные данные приведены в таблице Таблица 1 .2 – Данные для семейства выходных характеристик, график семейства выходных характеристик приведен на рисунке Рисунок 1 .4 соответственно.

Таблица 1.2 – Данные для семейства выходных характеристик

	Епит, В								Прим.
	0.05	0.15	1	3	5	7	9	11	Iб, мкА
Iк, мА	1.9	8.6	9.3	9.5	9.7	9.9	10.1	10.3	120
	2.8	12.7	13.9	14.2	14.4	14.7	15.0	15.2	180
	3.6	16.7	18.3	18.7	19.1	19.5	19.8	20.2	240
	4.4	20.5	22.7	23.2	23.5	24.1	24.6	25.0	300
	5.2	24.2	27.0	27.5	28.1	28.6	29.2	29.7	360
	6.0	27.7	31.2	31.8	32.5	33.1	33.7	34.4	420
	6.7	31.2	35.3	36.1	36.8	37.5	38.2	38.9	480

Рисунок 1.4 – Семейство выходных характеристик

Далее соберём схему для снятия крутизны и входного напряжения. Схема представлена на рисунке 1.5

Рисунок 1.5 – Схема снятия статических характеристик на переменном токе

Собрав схему на рисунке 1.5 , снимаются характеристики биполярного транзистора на переменном токе. В таблице 1.3 представлены полученные значения.

Таблица 1.3 – Статистические характеристики биполярного транзистора на переменном токе

Iб, мкА	25	50	100	200	300	400	500	600	700	800
Iб~, мкА	5,2	10	17,25	24,9	28,25	29,97	30,97	31,6	32,05	32,37
Iк~, мА	0,427	0,816	1,38	1,93	2,12	2,18	2,19	2,25	2,36	2,41
	5,93	5,74	5,18	4,133	3,41	2,94	2,6	2,35	2,165	2,014
S~, мА/В	0,0720	0,14216	0,26640	0,46697	0,62170	0,74149	0,84230	0,92340	0,99307	1,05263
Rвх, Ом	1140,3	574	300,289	165,983	120,708	98,0981	83,9522	74,3670	67,5507	62,2181

;

.

Используя данные, представленные выше строятся графики зависимостей S = f( ) и R_вх = f( ), отображённые на рисунках 1.6 и 1.7 соответственно

Рисунок 1.6 – График зависимость крутизны от тока коллектора

Рисунок 1.7 – График зависимость входного сопротивления от тока коллектора

Исходя из полученных данных примем рабочую точку I_б = 700 · 10^-6А, I_к = 2,36 · 10^-3А, U_б = 778,8· 10^-3В