ЭИС_1_СЕМ / ЛР2 / ЭИС_Л2(текст)

Заключение

В проделанной работе были проведены опыты с транзистором 2N2923. Были собраны схемы для исследования биполярного транзистора в режиме насыщения и в активном режиме. При значении Iб меньше 0,2128 мА транзистор переходит в активный режим. Построены схемы для изучения транзистора в режиме отсечки. Построена схема для изучения транзистора в инверсном режиме, напряжение нагрузки Uн = 3,245 мВ, ток утечки Iу = -1,185 мА.

11