10. Построим по данным таблиц 3 и 4 график световой характеристики

для первого и второго образцов:

Рисунок 2 - График световой характеристики для CdS и CdSe

Вывод

При выполнении данной лабораторной работы были исследованы фотоэлектрические свойства полупроводников.

В частности, были построены спектральные зависимости фотопроводимости для CdS и CdSe. Внешний вид графиков физически объясняется тем, что для каждого материала имеется некоторое пороговое значение длины волны λ_пор, соответствующее ΔЭ, которое называют красной границей фотоэффекта. При уменьшении длины волны излучения от λ_пор интенсивность оптических переходов возрастает, что приводит к увеличению концентрации неравновесных носителей заряда и соответствующему росту фотопроводимости. С другой стороны, при больших энергиях фотонов существенно возрастает коэффициент оптического поглощения, что сопровождается уменьшением глубины проникновения света в полупроводник. При этом неравновесные носители заряда, возбуждаемые в тонком поверхностном слое, быстро рекомбинируют через уровни поверхностных дефектов. Это приводит к спаду фотопроводимости после некоторого максимума на спектральной характеристике ФРЭ.

Также были построены световые характеристики для CdS и CdSe. Внешний вид этих графиков физически объясняется тем, что при увеличении уровня облучения полупроводника возрастает интенсивность оптических переходов и, следовательно, растет фотопроводимость. В области слабых световых потоков характеристика обычно имеет ли нейный характер. Однако с повышением интенсивности света линейность нарушается, что объясняется усилением роли процесса рекомбинации вследствие того, что часть ловушек захвата начнет превращаться в рекомбинационные центры. Это служит причиной замедления роста фотопроводимости.