Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 

ФГБОУ ВО “Магнитогорский государственный технический университет   имени Г.И. Носова” 

Институт энергетики и автоматизированных систем 

Кафедра электроники и микроэлектроники

Курсовой проект

по дисциплине «Расчет электронных схем»

на тему «Исследование свойств однокаскадных усилителей»

Вариант - 28

Исполнитель: Зарипов М. В., студент 3 курса, группа АНб-21-2 Руководитель: Мазитов Д. М., старший преподаватель кафедры ЭиМЭ

Работа допущена к защите "_____" _________ 20__ г. ____________

^{(подпись)}

Работа защищена "_____" _________ 20__г. с оценкой _________ _________

^{(оценка) (подпись)}

Магнитогорск, 2024 г.

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 

ФГБОУ ВО “Магнитогорский государственный технический университет   имени Г.И. Носова” 

Институт энергетики и автоматизированных систем 

Кафедра электроники и микроэлектроники

Задание на курсовой проект

по дисциплине «Расчет электронных схем»

на тему «Исследование свойств однокаскадных усилителей»

Исходные данные:

№ варианта	Транзистор	ЕГm , мВ	f0 , кГц	RГ , Ом	RБ1 , кОм	RБ2 , кОм	RК , кОм	RЭ1 , Ом	RЭ2 , кОм	RН , кОм	СР1 , мкФ	СР2 , мкФ	СЭ , мкФ	Сн, нФ	ЕК , В	Диапазон частот ЛАЧХ
28	BC847C	10	1	100	15	10	0.1	5	0.02	0.5	22	100	200	10	3	0.1Гц	10МГц

Срок сдачи: «______» _______________2024г

Руководитель: _____________________ / Мазитов Д. М.

^{(подпись)}

Задание получил: ______ ____________ / Зарипов М. В.

^{(подпись)}

Магнитогорск, 2024 г.

1. Порядок выполнения работы

1. Расчету подлежит схема на рисунке 1. Полярность источника питания должна быть изменена, если в варианте задан транзистор структуры p–n–p.

_{2. Параметры элементов усилителя следует взять в таблице1 (согласно назначенному варианту). Источник} – синусоидальный:

3. Постройте семейства входных и выходных вольтамперных характеристик заданного транзистора в программе Microcap 11, распечатайте и используйте в графоаналитическом методе расчета.

4. На принципиальной схеме усилителя следует выбрать и обозначить положительные направления токов и напряжений. Обозначения должны учитывать разделение их на постоянную и переменную составляющие.

5. Рассчитайте графоаналитическим методом постоянные составляющие токов и напряжений на всех элементах схемы (включая конденсаторы).

6. Используя пакет Microcap 11 (пункт DC меню Analysis), повторите расчет пункта 1.5. Сравните результаты, полученные 2 способами.

7. В точке покоя рассчитайте параметры Т-образной схемы замещения транзистора.

8. Рассчитайте входное ( ), выходное ( ) сопротивления, коэффициенты усиления по току ( ), по напряжению ( ) и по мощности ( ), которыми обладает усилитель на средних частотах.

9. Используя пакет Microсap 11 (пункт AC меню Analysis), постройте ЛАЧХ и ЛФЧХ усилителя, определите нижнюю и верхнюю частоты полосы пропускания, а также , , , , . Сравните результаты, полученные разными способами.

10. Проведите анализ работы усилителя с ОЭ в диапазонах низких, средних и высоких частот. Постройте структурную схему усилителя, ограничившись только звеньями первого порядка. Используя структурную схему, постройте асимптотические ЛАЧХ и ЛФЧХ. Асимптотические характеристики нарисуйте поверх более точных, рассчитанных в пункте 1.9. Сравните результаты полученные разными способами.

11. Используя пакет Microcap 11 (пункт Transient меню Analysis):

• Постройте осциллограммы , , , , , , , , , , , соответствующие параметрам источника , заданным в таблице 1. Совместите осциллограммы по времени. С помощью построенных диаграмм проанализируйте происходящие в усилителе процессы, обращая особое внимание на фазы и амплитуды сигналов, нелинейные искажения.

• Постройте реакцию усилителя на ступенчатый импульс на входе. При этом амплитуда импульса должна быть выбрана максимальной, но так чтобы ни на каком этапе переходного процесса усилитель не входил в насыщение или отсечку. Проанализируйте форму выходного сигнала и происходящие в усилителе процессы.

• Подберите амплитуду синусоидального входного сигнала так, чтобы в выходном напряжении наблюдались искажения, связанные со входом транзистора в насыщение и отсечку. Определите уровни выходного напряжения отсечки и насыщения, укажите их на временной диаграмме. Определите максимальное входное напряжение, при котором искажения насыщения и отсечки отсутствуют.