лабы / эбэ10обр

_{МИНОБРНАУКИ РОССИИ}

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра Электроакустики и ультразвуковой техники

отчет

по лабораторной работе №10

по дисциплине «Элементная база электроники»

Тема: Различные транзисторные схемы

Студенты гр. 358		.
		.
		.
Преподаватель		.

Санкт-Петербург

2025

Протокол наблюдений к лабораторной работе №10 «РАЗЛИЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ»

Таблица 10.1

Схема	Одиночный транзистор	Пара Дарлингтона	Пара Шиклаи
мА
, мА

фотка

Таблица 10.2

, Ом	кОм; кОм	кОм; кОм	кОм; кОм

Студенты гр. 358		.
		.
		.
Преподаватель		.

Цель работы – изучить различные схемы включения биполярных транзисторов.

Основные теоретические положения

Пара Дарлингтона и пара Шиклаи — это два типа составных транзисторов, используемых в электронных схемах с целью улучшения их электрических характеристик.

Пара Дарлингтона представляет собой конфигурацию из двух биполярных транзисторов, соединенных вместе для обеспечения высокого коэффициента усиления по току.

Пара Шиклаи представляет собой конфигурацию из двух комплиментарных биполярных транзисторов (одного NPN и одного PNP).

Расщепитель фаз на биполярном транзисторе — это электронная схема, которая используется для расщепления фазы входного сигнала на два выходных сигнала, один из которых будет находиться в противофазе по отношению к другому.

Токовое зеркало — это электронная схема, которая позволяет создавать копию или "зеркальное отображение" тока, текущего через один транзистор, в другом транзисторе. Данная схема широко используется в аналоговых схемах, таких как операционные усилители, стабилизаторы напряжения и другие схемы обработки сигналов.

Электронный ключ – схема, используемая на практике для управления нагрузками, индикаторами, электромагнитными реле. Данная схема предназначена для работы в двух режимах. Если ключ открыт, через нагрузку протекает ток, определяемый напряжением питания и сопротивлением нагрузки. Если же ключ закрыт, то ток пренебрежимо мал, нагрузка отключена. Ток управления транзисторным ключом обычно много меньше тока нагрузки.

Обработка результатов

1. Эмиттерные повторители

Соберем цепь эмиттерного повторителя на основе одного биполярного транзистора, паре Дарлингтона и на основе паре Шиклаи при , . По полученным входным и выходным токам рассчитаем соотношения и представим полученные значения в таблице 1:

Таблица 1 – соотношение эмиттерного повторителя

Схема	Одиночный транзистор	Пара Дарлингтона	Пара Шиклаи
мкА	14	12.6	13.4
, мА	2.59	138	125.6
	185	10952	9373

Собрав схему расщепителя фаз, путем изменения сопротивления потенциометра и амплитуды генератора напряжения, найдем рабочую точку. Благодаря данной рабочей точке мы можем наблюдать 2 синусоиды в противофазе без искажений. Осциллограмма представлена на рисунке 1:

Рисунок 1 – синусоиды в противофазе без искажений

2. Токовое зеркало

Собрав схему токового зеркала при , зафиксируем значения управляющего и отраженного токов. Полученные данные представлены в таблице 2.

Далее изменяя сопротивления , зафиксируем еще несколько значений . По полученным данным рассчитаем коэффициент отражения , который также представлен в таблице.

Таблица 2 – коэффициент отражения

, Ом	кОм; кОм	кОм; кОм	кОм; кОм
	3.45	3.45	2.63
	4.05	1.6	6.44
	0.85	2.08	0.41

3. Транзисторный ключ

Соберем схему транзисторного ключа на n-p-n транзисторе. В качестве источника управляющего сигнала используюем прямоугольные униполярные импульсы амплитудой 5 В и частотой выходного сигнал 1 кГц. Зафиксируем осциллограммы входного и выходного сигналов.

Рисунок 2 – осциллограмма входного и выходного сигнала транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

Аналогично соберем схему транзисторного ключа на полевом транзисторе с индуцированным каналом и снимем осциллограммы входного и выходного сигналов:

Рисунок 3 – осциллограмма входного и выходного сигнала на полевом транзисторе с индуцированным каналом

Вывод: В ходе проведения данной лабораторной работы были изучены различные схемы включения биполярных транзисторов.

Для цепи эмиттерного повторителя на основе одного биполярного транзистора, пары Дарлингтона и на основе пары Шиклаи были найдены соотношения выходного тока к входному для каждого из случаев.

Также для схемы токового зеркала были найдены значения управляющего и отраженного токов при различных сопротивлениях. А, собрав схему транзисторного ключа на n-p-n транзисторе и на полевом транзисторе, были рассмотрены осциллограммы входного и выходного сигналов, представленных на рисунках 2 и 3.

Протокол: