Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лабы / эбэ8обр

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
21.06.2025
Размер:
1.62 Mб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра Электроакустики и ультразвуковой техники

отчет

по лабораторной работе №8

по дисциплине «Элементная база электроники»

Тема: Исследование статических характеристик полевых транзисторов и одиночных усилительных каскадов

Студенты гр. 358

.

.

.

Преподаватель

.

Санкт-Петербург

2025

Протокол наблюдений к лабораторной работе №8 «ИССЛЕДОВАНИЕ

СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ

КАСКАДОВ»

Таблица 8.1

В

0

-1

-2

-3

-3.5

мА

Таблица 8.2

В

0

0.5

1

1.5

2

3

4

6

8

12

13

мА

при

В

при В

при В

при В

Таблица 8.3

Схема с ОИ

Схема с ОС

Схема с ОЗ

В

, В

, В

(при

(при кОм)

(при

, В

(при

(при

(при

кОм

, кОм

Цель работы – ознакомление с принципами работы полевых транзисторов и одиночных усилительных каскадов на базе них.

Основные теоретические положения

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называются стоком.

Электрод (вывод), через который в канал входят основные носители заряда, называется истоком.

Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала за счет управляющего напряжения, называют затвором.

Встроенный канал – особенность полевого транзистора, при которой он открыт изначально, а закрывается подачей напряжения на затвор.

Индуцированный канал – проводящий канал, который возникает за счет воздействия электрического поля затвора в полевом транзисторе с изолированным затвором.

Крутизна – зависимость изменения коллекторного тока от изменения напряжения база-эмиттер.

Обработка результатов

  1. Стоко-затворная характеристика

Для исследования статических характеристик полевого транзистора соберем цепь, где , . Регулируя напряжение на затворе, определим начальный ток стока(при ) и напряжение отсечки(при ):

Изменяя напряжение на затворе от нуля до напряжения отсечки, снимем стоко-затворную характеристику и построим график:

Таблица 1- стоко-затворная характеристика

В

0

-1

-2

-3

-3.5

5.35 мА

1.7 мА

7.2 мкА

0

0

Рисунок 1 – стоко-затворная характеристика

  1. Выходные характеристики транзисторов

Для снятия выходных характеристик, регулируя напряжение питания, снимем зависимость . Данные представлены в таблице 2:

Поочередно собрав на наборном поле цепи усилительного каскада с общим эмиттером и коллектором, установим частоту синусоидального сигнала 1 кГц. Сняв основные параметры и представив их в таблице 2, на примере схемы с ОЭ покажем следующие вычисления:

Таблица 2 – выходные характеристики

В

0

0.5

1

1.5

2

3

4

6

8

12

13

мА

при

В

0.03

2.27

3.75

4.45

4.9

5.2

5.35

5.4

5.4

5.3

5.4

при В

0

0.7

0.94

1.03

1.09

1.13

1.22

1.27

1.3

1.37

1.39

мкА

при В

0

0.07

0.14

0.2

0.25

0.4

0.5

0.77

1

1.48

1.57

при В

0

0.05

0.1

0.15

0.2

0.3

0.4

0.6

0.8

1.2

1.3

По значения, указанным в таблице, построим графики, представленные на рисунке 2 (фиолетовая - , зеленая - красная - , оранжевая - ). Из-за малых значений при В и В, красная и оранжевая линии неотличимы.

Рисунок 2 – выходные характеристики

  1. Исследование усилительных свойств каскадов на базе полевых транзисторов

Собрав цепь усилительного каскада с общим истоком, установим частоту синусоидального напряжения 1кГц и запишем в таблице 3 значения напряжений. Аналогично рассмотрим цепь с общим стоком.

Приведем примеры расчетов на цепи с общим истоком:

Таблица 3 – параметры схем с ОИ и ОС

Схема с ОИ

Схема с ОС

В

0.23

1.9

, В

3.86

1.1

, В

(при 2.7

(при кОм) 1.03

, В

(при 3.52

(при 0.99

16.78

0.58

кОм

4.3

1.5

, кОм

1035.3

900

Вывод: В ходе проведения данной лабораторной работы были изучены принципы работы полевых транзисторов и одиночных усилительных каскадов на базе них.

Кроме этого, были сняты статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом, включенного по схеме с общим истоком. Построены графики выходных и стоко-затворных характеристик.

Также экспериментально определили коэффициенты усиления по напряжению, входные и выходные сопротивления.

Протокол:

Соседние файлы в папке лабы