лабы / эбэ6обр

_{МИНОБРНАУКИ РОССИИ}

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра Электроакустики и ультразвуковой техники

отчет

по лабораторной работе №6

по дисциплине «Элементная база электроники»

Тема: Снятие статистических характеристик транзистора на постоянном токе

Студенты гр. 358		.
		.
		.
Преподаватель		.

Санкт-Петербург

2025

Протокол наблюдений к лабораторной работе №6 «СНЯТИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ»

Таблица 6.1

, B
		, B			, B			, B			, B
0
0.5
1
2
5
10
15

Таблица 6.2

	, B			, B			, B
0
5
10
20
50
80

Студенты гр. 358		.
		.
		.
Преподаватель		.

Цель работы – ознакомление с принципами работы биполярного транзистора и изучение семейств характеристик биполярного транзистора.

Основные теоретические положения

Полупроводник - вещество, электропроводность которого при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью проводников и диэлектриков.

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя 𝑝 −𝑛 переходами.

База – средняя область транзистора, расположенная между электронно дырочными переходами.

Эмиттер – область транзистора, основным значением которого является инжекция носителей заряда в базу.

Коллектор – область транзистора, основным назначением которой является собирание носителей заряда из базы.

Если на эмиттерном переходе напряжение прямое, и он инжектирует носители в базу, а на коллекторном переходе напряжение обратное, и он собирает носители из базы, то такое включение транзистора называют нормальным, а транзистор работает в активном (усилительном) режиме.

В режиме насыщения оба 𝑝−𝑛 перехода включены в прямом направлении, переходы насыщены подвижными носителями заряда, их сопротивления малы.

В паспортных данных каждого транзистора указывается его предельно допустимая мощность рассеивания 𝑃к доп, превышение которой недопустимо, так как это ведет к тепловому разрушению полупроводниковой структуры. Область, которая лежит выше гиперболы допустимых мощностей 𝑃к доп является нерабочей зоной, что соответствует режиму пробоя биполярного транзистора. Очевидно, что работа транзистора должна осуществляться в пределах рабочей области, то есть ниже гиперболы допустимых мощностей.

Обработка результатов

Для снятия прямой ветви вольтамперной характеристики диодов соберем цепь при . Полученные данные представлены в таблице 1:

Таблица 1 – зависимость и

, B
		, B			, B			, B			, B
0	0	0.56		0	0.57		0	0.59		0	0.6
0.5	1	0.61		3.05	0.64		5.83	0.66		7.74	0.67
1	1.02	0.61		3.07	0.64		5.38	0.65		7.88	0.66
2	1.03	0.61		3.09	0.64		5.46	0.65		7.96	0.66
5	1.05	0.61		3.16	0.64		5.34	0.63		6.95	0.63
10	1.07	0.61		3.31	0.63		5.22	0.61		7.4	0.61
15	1.08	0.61		3.32	0.62		5.83	0.64		7.63	0.61

Рисунок 1 – зависимость при зеленый – 20 , фиолетовый – 40 , голубой – 60 , оранжевый – 80

Рисунок 2 – зависимость при зеленый – 20 , фиолетовый – 40 , голубой – 60 , оранжевый – 80

Установив различные напряжения , изменим ток базы для снятия зависимостей и . Полученные данные занесем в таблицу 2:

Таблица 2 – зависимости и

	, B			, B			, B
0	0.6	0		0.61	6.2		0.57	6.53
5	0.52	0		0.56	0.17		0.56	0.17
10	0.53	0		0.59	0.19		0.59	0.5
20	0.55	0		0.61	1.21		0.61	1.25
50	0.61	0.93		0.63	4.51		0.63	4.64
80	0.6	0.2		0.65	8.33		0.63	8.9

Построим графики входной и регулировочной характеристик:

Рисунок 3 – график входной характеристики при зеленый – 0 В, фиолетовый – 5 В, голубой – 12 В

Рисунок 4 – график регулировочной характеристики при зеленый – 0 В, фиолетовый – 5 В, голубой – 12 В

Графически определим h-параметры для схем с общим эмиттером:

Вывод: В ходе проведения данной лабораторной работы было произведено ознакомление с принципами работы биполярного транзистора и изучено семейство характеристик биполярного транзистора.

Также были экспериментально сняты и построены графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n-p-n типа для схемы с лющим эмиттером.

Кроме этого, графически были определены h-параметры для схемы с общим эмиттером.

Протокол: