- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
1) Линзы-диафрагмы
Линзы-диафрагмы образуются в отверстии металлического экрана, разделяющего две области пространства, в каждой из которых существует однородное электрическое поле.
Направим ось электрического поля Ɛ слева направо. Тогда расчеты (здесь они не приводятся) для оптической силы дадут:
,
(13)
а для фокусного расстояния
. (13′)
На первом рисунке
и
отрицательны и, поскольку
,
мы имеем:
.
(14)
Это означает, что
эта линза
собирающая.
Ее оптическая сила
быстро растет при уменьшении напряжения
на диафрагме
или разницы в напряженностях
.
На втором рисунке,
так же как и на первом,
и
отрицательны,
но
,
поэтому:
(15)
и линза рассеивающая.
На третьем рисунке
электрические поля справа и слева от
диафрагмы одинаковы по модулю (
),
но направлены в разные
стороны. Поэтому
(16)
и линза рассеивающая.
2) Бипотенциальные линзы
Рассмотрим случай двух диафрагм, изображенных на рисунке:
Оптическая сила такой системы может быть рассчитана по формуле для оптической силы двух тонких оптических линз:
, (17)
где d – расстояние между линзами, f1 и f2 – фокусные расстояния первой и второй линз, соответственно.
Если электрическое
поле по обе стороны от системы линз
равно нулю (
),
то фокусные расстояния f1
и f2
электронных
линз, согласно (13′) есть:
,
.
(18)
Тогда оптическая сила системы согласно (17) равна:
. (19)
Эта формула хорошо подтверждается экспериментом, то есть, эксперимент показывает, что формула для оптических тонких линз применима к электронной линзе. Заметим, что поскольку оптическая сила (19) – величина положительная, то эта линза – собирающая.
При расстояниях
d,
не слишком больших по сравнению с
диаметром отверстия
,
область однородного поля между диафрагмами
исчезает
(см. рисунок
ниже) и тогда получается бипотенциальная
линза:
При изменении условия для напряжений на противоположное: V1>V2, то есть, при изменении направления электрического поля на противоположное, бипотенциальная линза из собирающей превращается в рассеивающую. Такой же эффект превращения линзы в рассеивающую получается и при изменении направления движения электронного пучка.
3) Одиночные линзы
Одиночные линзы образуются полем трех аксиально симметричных электродов в том случае, когда крайние электроды соединены вместе. В подавляющем числе случаев крайние электроды совершенно одинаковы по конструкции.
На рисунках ниже изображены две одиночные линзы. Общим для них является то, что потенциал на среднем электроде равен нулю. В первой линзе крайние электроды находятся под положительным потенциалом, а во второй – под отрицательным. Первая линза является собирающей, а вторая рассеивающей. Оптическую силу электронных линз легко изменять, меняя напряжение на электродах.
Одиночные линзы часто используются в качестве объективных и проекционных линз в электронных микроскопах.
