- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Движение электрона в однородном электрическом поле
Пусть электрон,
пройдя ускоряющую разность потенциалов
,
приобретает скорость:
,
(5)
где
(удельный заряд электрона),
и влетает в
однородное электрическое поле конденсатора
перпендикулярно
его силовым линиям (
.
). Пусть ось
.
При движении электрон будет описывать
дугу параболы:
, (6)
где
(a
– ускорение),
,
,
,
.
Рассчитаем угол
при вылете
электрона из конденсатора (когда z
=
),
считая его малым:
.
После учета (5) эта формула примет вид
.
(7)
3. Электростатическая электронная линза
Рассмотрим движение электрона в аксиально-симметричном (осе-симметричном) электрическом поле, осью симметрии которого является ось z. Известно, что радиальная составляющая всякого аксиально-симметричного поля вблизи оси симметрии (оси z) равна:
, (8)
где r – расстояние от оси (координата r), Ф" – вторая производная от потенциала по z:
.
Из (8) следует, что сила, действующая на электрон, линейно зависит от расстояния от оси симметрии r. Покажем далее, что аксиально-симметричные поля способны сводить в одну точку-изображение параксиальные (лучи, идущие вблизи оси и под малыми к ней углами) электронные лучи, вышедшие из одной точки-объекта.
Пусть между двумя плоскостями z1 и z2 – металлическими сетками действует аксиально-симметричное поле в круглом отверстии металлической диафрагмы:
Пусть
,
тогда
(заряд электрона отрицательный(!)), то
есть, сила направлена
к оси
z(!).
Пусть точка S
– это источник электронов, движущихся
со скоростями
.
Будем считать, что
.
Электронный луч, вышедший из S
под малым углом
к оси z,
пройдя через поле, изменит свое направление
на угол
.
Считаем, что r
и, следовательно,
при прохождении поля не изменяются, так
как
и угол
– мал. Тогда,
поскольку теперь поле
однородное,
можно записать (перезаписать формулу
(4)):
, где
.
(9)
С учетом (8) формула (9) перепишется в виде:
,
(10)
где
не зависит
от r
(!).
Пусть далее
настолько сильно, что
.
Тогда после прохождения поля луч
пересечет
ось z
в некоторой точке S′.
Если углы
малые (тогда
)
и, если считать отрезки влево от диафрагмы
отрицательными, а вправо – положительными,
то можно записать:
.
(11)
Приравняв правые части (10) и (11), получим:
или
.
(12)
В это выражение
расстояние от оси
не входит. Это значит, что все
лучи, выходящие
из S
под разными
(но малыми!) углами (то есть, параксиальные
лучи) сходятся
в одной и той же точке
S′
– изображении точки S.
Формула (12) совпадает
с формулой
тонкой оптической линзы.
Область поля между плоскостями z1
и z2,
где
,
называется электронной
или электростатической линзой,
а величина f
– ее
фокусным
расстоянием.
Аналогичным образом, можно произвести построение и для случая мнимого изображения, то есть для рассеивающего поля.
Электростатические линзы входят в электронные вакуумные приборы в качестве их деталей, а тип линзы, ее конструкция выбираются в соответствии с местом применения. Внешний вид линз, форма электродов и их размеры в различных приборах весьма разнообразны, однако в отношении структуры электрического поля употребительные на практике линзы можно свести к четырем типам:
1) линзы-диафрагмы; 2) бипотенциальные линзы; 3) одиночные линзы; 4) электронные иммерсионные объективы.
Рассмотрим первые три типа линз.
