
- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
8.3.2. Дуговой разряд
П
ри
значительном увеличении разрядного
тока аномальный
тлеющий разряд переходит в дуговую
форму.
Существенными, отличительными от
тлеющего, признаками дугового разряда
являются следующие признаки:
1. Значительно меньшая величина катодного падения напряжения .
2. Большое значение разрядного тока I.
3. Разряды могут существовать как при низком (как у тлеющего разряда), так и при высоком давлении.
4. Если у тлеющего разряда на катоде происходят γ-процессы, то у дуги таковыми являются термоэлектронная и автоэлектронная эмиссии.
8.3.3. Коронный разряд
Если хотя бы один из электродов имеет: 1) небольшой радиус кривизны (большая кривизна) (острие) и 2) давление достаточно высокое (атмосферное или несколько ниже), то при повышении напряжения несамостоятельный разряд переходит в коронный самостоятельный разряд. Возникновение коронного разряда можно заметить по свечению у острия электрода с большой кривизной. В области свечения происходит интенсивная ионизация и возбуждение молекул газа (образуются лавины). Эта часть разряда называется коронирующим слоем, а электрод, к которому он примыкает – коронирующим электродом. Между коронирующим слоем и некоронирующим электродом лежит внешняя область короны. В разряде на постоянном токе может коронировать как положительный (положительная корона), так и отрицательный (отрицательная корона) электроды.
В случае отрицательной короны явления на коронирующем электроде – катоде сходны с явлениями на катоде тлеющего разряда: во внешней области отрицательной короны нет электронных лавин (они находятся в коронирующем слое); здесь течет ток, состоящий из электронов и отрицательных ионов, и находится область отрицательного объемного заряда, которая ограничивает ток в цепи разряда.
8.3.4. Искровой разряд
Искровой разряд возникает между плоскими (или слабо закругленными) электродами при больших давлениях. Искра – это прерывистый во времени разряд, проходящий по тонким извилистым ярко светящимся каналам. Искровой разряд можно рассматривать как стадию, на которой из-за невысокой мощности источника питания заканчивается развитие самостоятельного разряда.
Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
Электронная оптика
К изучению движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях можно подойти, основываясь на волновых свойствах частиц. В некоторых случаях (дифракция и отражение электронов от кристаллической решетки – электронная волновая оптика) это просто необходимо. Однако известно, что при уменьшении длины волны волновая оптика переходит в геометрическую. Напомним, что геометрическая оптика – это оптика, в которой действуют законы прямолинейного распространения, отражения и преломления световых лучей.
В подавляющем числе случаев, где рассматривается движение электронов в электрических и магнитных полях (электронные вакуумные приборы: электронные пушки, электронный микроскоп и т.д.) длина волны электронов настолько мала, что критерий применимости геометрической оптики выполняется в полной мере. Именно такой случай мы сейчас и будем рассматривать. Поэтому в дальнейшем мы будем пользоваться представлениями об электронных лучах и рассчитывать их параметры методами геометрической оптики. При этом результаты изучения движения заряженных частиц методами геометрической оптики должны будут совпадать с результатами электронной баллистики, рассчитывающей траектории движения электронов.
Покажем это:
1. Основное положение геометрической оптики – принцип Ферма – гласит: при распространении света между двумя точками А и В луч выбирает такой путь, время его распространения по которому минимально, то есть вариация времени равна нулю:
, (1)
где ds
– перемещение,
– скорость света в среде, равная отношению
скорости света в вакууме с
к показателю преломления среды n
(
),
– элемент
времени.
2. Движение материальной частицы (между точками А и В) в поле консервативных сил подчиняется принципу наименьшего действия – принципу Мопертюи, согласно которому вариация действия равна нулю:
, (2)
где
–
элемент
действия (
– действие).
Сравнение (1) и (2) показывает, что путь, проходимый лучом света между точками А и В через среду с показателем n, совпадает с траекторией частицы, движущейся между этими же точками, если при этом на частицу (электрон) действуют силы (со стороны электрического и магнитного полей) так, что скорость (x, у, z) изменяется пропорционально показателю n (x, у, z):
~ n
или
,
(3)
где b
– коэффициент пропорциональности.
Примем далее, что b
= 1 (поскольку практическое значение
имеет отношение показателей преломления,
а не сам показатель преломления) и,
исходя из связи между скоростью электрона
и потенциалом электрического поля:
,
запишем:
.
(4)
Это соотношение указывает на связь между показателем преломления и потенциалом (напряжением).
Рассмотрим пример полного внутреннего отражения электронных лучей в однородном электрическом поле.
П
усть
электрон входит в однородное электрическое
тормозящее
поле под углом α к силовым линиям.
Проведем систему близких эквипотенциальных
поверхностей – плоскостей V0,V1,V2…и
заменим истинное распределение потенциала
ступенчатым,
полагая, что на первой плоскости потенциал
меняется скачком от V0
до V1
, затем
является
постоянным, на второй плоскости опять
меняется скачком от V1
до V2
и т.д. Соответственно, и показатель
преломления
среды будет постоянным
в пространстве, где потенциал постоянен,
и изменяться скачком при переходе через
плоскость раздела потенциалов.
Если число скачков потенциала увеличить до бесконечности, то в пределе мы получим истинную траекторию движения электрона – параболу.