- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
Условие (24): μ=1
или
описывает условие возникновения
самостоятельного разряда в момент его
зажигания. Напряжение на электродах,
соответствующее этому состоянию,
называется потенциалом
(напряжением)
зажигания
V3
.
Найдем эту величину. Для этого подставим в (24) величину :
,
где учтено, что
,
и получим:
Откуда находим
:
.
(26)
Эта формула носит название закона Пашена.
Вспомним, что
,
.
Из (26) видно, что
зависит не от p
и d
по отдельности, а от их произведения.
Зависимость
от произведения pd
называется
зависимостью или
кривой Пашена.
Все кривые Пашена (кривые, построенные
при различных значениях величин B,
A
и γ)
имеют вид:
Кривые Пашена проявляют экстремальный характер – проходят через минимум. Появление минимума на зависимости (pd) объясняется следую-щим образом.
Если давление мало
и
,
то большинство электронов беспрепятственно
(без соударений) достигает анода и число
ионизирующих столкновений мало.
В этом случае в зажигании разряда должна
усиливаться роль γ-процессов, чего можно
достичь повышением напряжения
.
То есть, при уменьшении p
напряжение
растет
(левая часть зависимости
(pd)).
Если же давление
велико и
,
то число электронов (
),
получающих достаточную энергию
,
также невелико. Чтобы повысить это
число, надо увеличивать напряженность
электрического поля Ɛ,
то есть увеличивать
напряжение
(правая часть зависимости
(pd)).
Очевидно, что где-то в промежутке между
большими и малыми значениями pd
должен быть минимум зависимости
.
8.3. Формы самостоятельного разряда
После пробоя разрядного промежутка и возникновения самостоятельного разряда, его форма может быть различной в зависимости от 1) конфигурации электродов, 2) давления газа, 3) внешних электрических цепей. Самостоятельный разряд по форме может быть тлеющим, искровым, дуговым и коронным.
8.3.1. Тлеющий разряд
Тлеющий разряд возникает при малых давлениях (от сотых долей мм рт. ст. до десятков мм рт. ст.).
В пространстве катод-анод (К–А) тлеющего разряда существует шесть областей.
1 – Астоново темное пространство – электроны выбиты из катода, но еще не набрали скорости для возбуждения и ионизации;
2 – Катодный слой (светящаяся пленка) – идет возбуждение атомов, но ионизации еще нет;
3 – Темное катодное пространство (чуть светится) – начинается ионизация и нарастание лавины;
4 – Тлеющее свечение – свечение из-за рекомбинации электронов с ионами в лавине;
5 – Фарадеево темное пространство – в него не попадают быстрые электроны лавин. Электроны и ионы сюда попадают за счет диффузии, поэтому здесь нет ни возбуждающих, ни, тем более, ионизирующих столкновений;
6 – Положительное свечение или положительный столб – газ светится. Есть небольшое электрическое поле Ɛ, поэтому скорость электронов повышается и здесь происходят: и возбуждение, и ионизация и рекомбинация.
Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде:
Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
Точка А – точка возникновения самостоятельного, то есть, тлеющего разряда.
При небольших
токах не вся площадь катода покрыта
свечением, а только ее часть S
принимает участие в разряде. Эта площадь
пропорциональна току I,
поэтому плотность тока i
остается неизменной
(i
= const),
а катодное падение напряжения
не зависит от тока I:
=const(I).
Действительно: Согласно закону Ома
.
При увеличении напряжения источника
питания V
ток I
(=iS)
– увеличивается в S
раз, а сопротивление
(=ρl/S)
– приблизительно во столько же раз (в
S
раз) уменьшается, так что напряжение
остается практически неизменным.
Когда вся площадь катода будет рабочей, тогда увеличение тока приводит к увеличению – происходит переход в режим аномального катодного падения –область III.
Замечание: В тлеющем разряде катод испускает электроны вследствие бомбардировки ионами – γ-процесса. Поэтому величина катодного падения зависит от работы выхода.
