- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
Процесс развития самостоятельного разряда является многостадийным. В самом начале возникновения самостоятельного разряда возникает первая электронная лавина, которая за время 10-7–10-8 с проходит к аноду и оставляет за собой облако положительных ионов, так как ионы двигаются (к катоду) медленно. Объемный заряд положительных ионов искажает поле внутри разрядного промежутка.
П
осле
второй лавины поле еще сильнее искажается.
При этом у анода поле становится слабее
и эта область
слабого поля у анода расширяется от
лавины к лавине.
Почти все
поле
«стягивается» к катоду.
Таким образом, почти все падение напряжения будет находиться вблизи катода. Анод как бы продвигается к катоду (А1, А2, А3). С каждой лавиной расстояние между анодом и катодом становится все меньше и меньше: d3<d2<d1<d.
Коэффициент
ионизационного нарастания μ
зависит от произведения αd.
При стягивании электрического поля к
катоду d
– уменьшается, а α
– увеличивается. Действительно,
уменьшение d
вызывает увеличение отношения
(за счет увеличения Ɛ), а увеличение
приводит к увеличению α согласно
полученному нами ранее соотношению
.
Итак, при стягивании поля к катоду значение α – увеличивается, а расстояние d – уменьшается. Поэтому трудно сказать – как при стягивании поля к катоду изменяется произведение αd? Увеличивается или уменьшается? Рассмотрим этот вопрос более детально.
Д
ля
этого рассмотрим зависимость величины
от отношения
.
При увеличении (=x) увеличивается (=y). При этом
,
(25)
как видно из
рисунка, увеличивается
на участке 0M.
В точке M
величина
достигает максимального значения.
Следовательно, согласно (25) и произведение
αd
в этой точке максимально. Вместе с ним
здесь максимально и ионизационное
нарастание
!
После точки M произведение αd, а, следовательно, и μ уменьшаются. Таким образом, мы видим, что ионизационное нарастание μ сначала растет до некоторого максимального значения в точке M, а затем уменьшается.
8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
Рассмотрим теперь процессы развития и установления самостоятельного разряда.
Допустим, что приложено такое напряжение V, и, следовательно поле , при котором произведение αd такое, что μ=1 (точка «В»). Тогда возникает лавина – первая лавина и анод «продвигается» к катоду, а увеличивается. Увеличение влечет за собой увеличение произведения αd и ионизационного нарастания μ. Таким образом, точка «В» является неустойчивой – в ней разряд не задерживается. Со следующими лавинами поле все сильнее и сильнее стягивается к катоду, а αd и μ – увеличиваются, достигают максимума в точке «М», а затем уменьшаются. Это уменьшение ионизационного нарастания μ происходит до тех пор, пока не станет удовлетворяться условие μ=1 (точка «С»). В точке «С» разряд будет устойчивым (!). Действительно, если поле будет дальше стягиваться, то величина μ будет меньше единицы. Поэтому лавина будет ослабевать, а поле станет растягиваться (объемный заряд будет рассасываться), то есть будет уменьшаться и система вернется в точку «С», где μ=1.
