- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
8. Самостоятельный разряд
Самостоятельный разряд – это разряд, в котором электроны и ионы, необходимые для поддержания разряда, создаются им самим в объеме газа или на электродах.
8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
В лавинном процессе, рассмотренном ранее, роль положительных ионов ограничивалась лишь переносом зарядов. Однако при повышении напряженности поля возникают новые процессы, в которых положительные ионы принимают более активное участие. При этом возникают новые процессы, такие как:
1. ионизация атомов (молекул) ионными ударами;
2. эмиссия вторичных электронов из катода при бомбардировке катода ионами – вторичная электронная эмиссия из катода;
3. фотоэлектронная эмиссия катода, вызванная излучением самого разряда.
Ионизация газа ионами (процесс 1) играет заметную роль только при очень больших энергиях ионов. Поэтому в теории разряда ею часто пренебрегают. Так далее мы и поступим.
Процесс 2, приводящий к вторичной электронной эмиссии, называется гамма-процессом. Действие гамма-процесса учитывается с помощью коэффициента γ:
(
– число выбитых электронов,
– число положительных ионов) –
– числом электронов, выбиваемых из катода одним ионом. Величина γ зависит от скорости ионов, то есть от напряженности электрического поля Ɛ, давления газа p, а также от материала катода.
Получим выражение для тока через газ, учитывая:
1) ионизацию газа электронами,
2) γ-процессы,
3) фотоэффект.
Рассмотрим следующую модель:
электроды плоские;
фотоэлектронная эмиссия осуществляется потоком фотонов постоянной интенсивности.
–
число электронов,
образуемых в
результате фотоэффекта
в единицу
времени;
– число γ-электронов, образуемых при бомбардировке катода положительными ионами в единицу времени;
–
число электронов,
пришедших на анод в единицу времени;
– число положительных ионов, проходящих через поперечное сечение в единицу времени.
Обозначим сумму
как
:
.
В результате объемной ионизации (в результате лавинного процесса) число электронов, попадающих на анод, возрастает от до согласно закону:
. (16)
Число новых электронов – электронов, возникших в лавине, будет равно:
. (17)
Оно равно числу возникших ионов .
Положительные ионы, обрушившиеся на катод, выбивают электронов:
. (18)
Полное число электронов, вышедших из катода, равно:
. (19)
Откуда
. (20)
Подставляя (20) в (16), получаем число электронов, приходящих в единицу времени на анод:
. (21)
Умножая (21) на заряд e, получаем плотность тока:
. (22)
Формула (22)
показывает, что ток
разряда пропорционален фототоку
.
Коэффициент при
:
называется коэффициентом газового усиления.
Из изложенного выше следует, что γ-процессы приводят к еще большему увеличению тока, чем увеличение тока только за счет лавинообразного процесса.
8.2. Зажигание самостоятельного разряда
8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
Если увеличивать напряженность поля Ɛ (увеличивая, например, напряжение V), то будут возрастать α и γ, и ток будет возрастать. Опыт показывает, что при увеличении напряжения V на разрядном промежутке наступает такой момент, когда ток резко возрастает и одновременно так же резко усиливается свечение разряда. В этом случае разряд переходит в одну из форм самостоятельного разряда.
Из выражения (22)
следует, что
неограниченно
возрастает
при приближении его знаменателя к нулю:
. (23)
Эта формула и представляет собой искомое условие зажигания самостоятельного разряда. Впервые это условие было сформулировано Таунсендом.
Обозначим второе слагаемое в (23)
.
Тогда условие зажигания самостоятельного разряда перепишется в виде
.
(24)
Величина μ называется коэффициентом ионизационного нарастания.
