- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
3. Скорости генерации и рекомбинации
Наряду с процессом ионизации в газе протекает противоположно направленный (обратный) процесс – процесс рекомбинации, когда встречаются две частицы разных знаков: электрон и положительно заряженный ион или отрицательно заряженный ион и положительно заряженный ион, в результате чего образуется нейтральный атом или молекула.
Рассмотрим, как протекает рекомбинация в объеме газа. Допустим, что источник ионизации (например, рентгеновские лучи) создает в единицу времени в единице объема g пар ионов. Допустим также, что в газе нет электрического поля и ионы не покидают данный объем за счет диффузии. Тогда единственным процессом потери ионов в газе будет рекомбинация.
Обозначим через n – число пар ионов и электронов (или ионов положительного и отрицательного знаков) в единице объема (то есть n – концентрация ионов одного знака).
Рекомбинация
происходит при встрече положительного
иона с отрицательным ионом или электроном.
Число таких встреч пропорционально как
числу положительных (n),
так и отрицательных ионов (или электронов)
(n),
то есть пропорционально произведению:
.
Поэтому убыль ионов пропорциональна
n2
и скорость рекомбинации R
должна быть записана как
.
Коэффициент пропорциональности здесь r называется коэффициентом рекомбинации.
Несамостоятельный разряд в газе
Рассмотрим газ, находящийся между плоскими электродами площадью S, расположенными на расстоянии l друг от друга, подвергающийся внешней ионизации (рентгеновское излучение, УФ-излучение и так далее).
Пусть ионизатор производит g-пар ионов (или положительных ионов и электронов) разного знака в секунду в единице объема V (то есть, g – скорость генерации). Пусть на электроды подано напряжение V (небольшое).
В цепи электродов, а, следовательно, и через газ, течет электрический ток – ток несамостоятельного разряда.
Всего число ионов (пар ионов) одного знака есть
.
В единицу времени создается ионов одного знака (пар ионов)
.
В единицу времени рекомбинирует ионов одного знака (пар ионов)
.
В единицу времени уходит на электроды ионов одного знака (пар ионов)
.
Запишем уравнение баланса зарядов:
.
После деления на Sl получим
.
(1)
Рассмотрим далее стационарное состояние.
В
стационарном состоянии
то есть
и
(1) должно быть переписано в виде
.
(2)
Рассмотрим уравнение (2) в двух предельных случаях.
I.
Пусть ток (хотя и не
нулевой (!))
настолько мал, что членом
в правой части уравнения (2) можно
пренебречь. Тогда:
,
то
есть скорость рекомбинации rn2
равна скорости генерации, а концентрация
n
– есть величина постоянная, определяемая
величинами
и r:
.
В этом случае плотность тока (в электрическом поле) есть
.
Поскольку n = const (ε), то это означает, что в данном случае (случае малых токов и, следовательно, малых напряжений V) выполняется закон Ома: i ~ ε (или I~V):
II. Пусть ток настолько велик, что, наоборот, рекомбинационным членом rn2 в (2) можно пренебречь. Тогда
откуда
,
где
–
плотность тока насыщения. То есть
)
или I
.
Объяснение. Физика явления заключается в том, что в случае сильных полей (больших напряжений V) за время пролета иона после его генерации при движении до электрода он не успевает рекомбинировать. Это означает, что сколько образовалось зарядов за время пролета в разрядном промежутке, столько их и пришло на электроды.
