
- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Тема. Электрический ток в газах
1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
Электроны в атомах и молекулах газа (в отличие от электронов в металлах) оказываются сильно связанными с ядрами атомов. Поэтому газы в нормальном состоянии (в том числе и пары металлов) состоят из электрически нейтральных атомов и молекул и не проводят электричество. Проводниками электричества могут быть только ионизованные газы, когда в них появляются свободные носители зарядов: положительные и отрицательные ионы и электроны. Ионы и электроны в газах могут возникать под действием:
высоких температур,
облучения электромагнитных волн, лучей радиоактивных элементов, космических лучей,
сильных электрических полей.
Во всех этих случаях происходит вырывание электронов из электронных оболочек атомов или молекул. Этот процесс называется ионизацией. Одновременно с ионизацией происходит рекомбинация – соединение электронов с положительными ионами.
Ионизация (и возбуждение) молекул в газе может происходить при взаимодействии частиц в газе – при их соударениях (столкновениях). Все соударения между частицами в газе делятся на упругие и неупругие.
Упругие столкновения характеризуются тем, что взаимодействующие частицы только обмениваются кинетическими энергиями или импульсами, а изменения внутренней энергии хотя бы одной из двух соударяемых частиц не происходит. При упругих столкновениях полная кинетическая энергия частиц является неизменной
для n взаимодействующих частиц.
Неупругие столкновения характеризуются тем, что кинетическая энергия соударяемых частиц уменьшается – тратится на внутренние процессы (возбуждение или ионизация хотя бы одной частицы), или, наоборот, увеличивается за счет уменьшения внутренней энергии хотя бы одной из частиц.
2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
Д
ля
количественного описания хаотического
движения частиц вводится понятие средней
длины свободного пробега
– среднего
расстояния, которое пролетает частица
от одного столкновения до другого.
Используем далее
для молекул модель твердых частиц
сферической
формы. Пусть
d
– диаметр частицы. Тогда вокруг данной
частицы А существует сфера
ограничения
диаметром 2d
(см. рисунок). Если частица А неподвижна,
то с ней за одну секунду произведут
столкновения только те частицы, которые
движутся внутри цилиндра с диаметром
сферы
ограничения 2d
и длиной
.
Объем этого цилиндра (с образующей
и
основанием – кругом радиуса d)
есть
,
где величина (площадь основания круга радиуса d)
называется эффективным сечением взаимодействия.
Число частиц, находящихся в цилиндре, есть число частиц, сталкивающихся с частицей А в единицу времени. Оно равно
,
где n – концентрация частиц.
Будем далее считать наоборот, что частица А движется, а z частиц цилиндра неподвижны. Тогда получится, что частица А совершает в единицу времени z столкновений.
За единицу времени
частица проходит в среднем расстояние
,
поэтому средняя длина свободного пробега
есть
.
При тепловом
движении
,
тогда
.
Рассмотрим
столкновение электронов
с молекулой, когда диаметр электрона
de
много меньше диаметра молекулы dмол,:
de
<< dмол.
Тогда окажется, что
и, кроме того,
,
так как
.
В итоге для длины свободного пробега
электрона
получаем окончательно:
.
Видим, что средняя
длина
свободного пробега электрона
значительно больше средней длины
свободного пробега молекулы
.