- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
2.1. Число состояний в зоне
В каждой энергетической
зоне состояния электронов отличаются
друг от друга значениями волнового
вектора
.
Для кристалла ограниченного размера
граничным условиям уравнений Шредингера
удовлетворяют только определенные
(дискретные) значения волнового числа
k.
Полное число значений k
(в первой зоне Бриллюэна) равно числу
атомов в кристалле N
(в одноатомном кристалле). В свою очередь,
каждому значению k
соответствует два состояния электронов,
различающиеся проекцией спина (которая
может быть равной ½ или –½). Таким
образом, в энергетической зоне содержится
2N
состояний электронов. Согласно принципу
Паули в такой зоне может находиться не
более 2N
электронов.
Отметим, что пока N атомов находились далеко друг от друга, на соответствующем уровне каждого атома могли находиться 2 электрона (с противоположными спинами), так что если в атоме этот уровень был заполнен, то и в кристалле образовавшаяся из этого уровня зона полностью заполнена (2N электронами).
2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
По характеру заполнения зон электронами все тела делятся на две группы.
К 1-ой группе относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами расположена зона, заполненная лишь частично.
Т
акая
зона возникает тогда, когда атомный
уровень, из которого она образуется,
заполнен в атоме не
полностью.
Так, у Na на 3s-орбитали только 1 электрон (а не два), поэтому в твердом теле натрия образуется 3s-зона, заполненная только наполовину (а не полностью).
Частично заполненная зона может образовываться и при наложении заполненных зон на пустые (или частично заполненные). Это имеет место у щелочно-земельных элементов и у бериллия Be.
Наличие зоны, заполненной лишь частично, присуще металлам.
Ко 2-ой группе относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами расположены пустые зоны.
Тела этой группы образуются:
элементами IV группы таблицы Менделеева (углерод-алмаз, кремний, германий, серое олово).
многими химическими соединениями: оксидами металлов, карбидами, галогенидами щелочных металлов (как например, NaCl).
Верхняя, целиком заполненная электронами зона, называется валентной. Свободная или частично заполненная электронами зона, которая находится над валентной зоной и отделена от нее энергетической щелью –запрещенной зоной шириной Eg, называется зоной проводимости.
По ширине запрещенной зоны (Eg) тела 2-ой группы делятся на диэлектрики и полупроводники. Это деление условно. Обычно к диэлектрикам относят тела с Eg > 3 эВ (Eg (алмаз) = 5,2 эВ, Eg (корунд (Al2O3) = 7,0 эВ). К полупроводникам относят тела с Eg ≤ 1,5 эВ (Eg (германий (Ge)) = 0,66 эВ, Eg (кремний (Si)) = 1,08 эВ, Eg (арсенид галлия (GaAs)) = 1,43 эВ).
2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
(условия для появления проводимости)
Создадим в кристалле
внешнее электрическое поле
.
На каждый электрон это поле действует
с силой
,
которая стремится нарушить симметрию
в распределении электронов по скоростям
v,
поскольку электроны будут двигаться с
ускорением
против
направления
.
Ускорение, то есть,
изменение скорости, неизбежно приведет
к изменению энергии и переходу электронов
в новые квантовые состояния с большей
энергией. Такие
переходы могут происходить лишь в том
случае, если в энергетической зоне
имеются незанятые
(свободные)
состояния, то есть, если зона укомплектована
не
полностью.
В этом случае электрическое поле (даже
очень слабое) способно сообщить электронам
энергию, чтобы перевести их на ближайшие
свободные уровни. Это означает, что в
теле появляется преимущественное
движение электронов в одном направлении
(в данном случае против поля), то есть
электрический ток.
Пусть над валентной зоной, полностью заполненной электронами, находится зона проводимости, полностью свободная от электронов (свободная зона). Тогда внешнее поле будет не в состоянии изменить характер движения электронов: оно лишь может осуществить перестановку электронов местами, но не нарушить симметрию распределения электронов по скоростям. Поэтому в данном случае внешнее электрическое поле будет не способно привести к появлению тока. Такие тела являются изоляторами.
