
- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Недостатки триодов
В триодах нельзя совместить высокий коэффициент усиления μ и «левую» анодно-сеточную характеристику. Действительно, при увеличении μ уменьшается D и, соответственно, уменьшается по модулю величина Vc0 (Vc0 = ̶ DVa): Vc0 движется вправо по оси Vc, следовательно, и вся анодно-сеточная характеристика сдвигается вправо.
В триодах слишком большая проходная емкость.
В триодах сравнительно невысокое внутреннее сопротивление Ri. В резонансных усилительных каскадах сопротивление Ri шунтирует анодный колебательный контур и тем самым ухудшает его резонансные свойства (добротность).
Эти недостатки почти полностью устраняются введением дополнительной сетки.
Тетроды и пентоды
Четырехэлектродные лампы – тетроды имеют вторую сетку, называемую экранирующей или экранной. Эта сетка располагается между управляющей сеткой и анодом.
Действие экранирующей сетки заключается в том, что она экранирует катод и управляющую сетку от действия анода. Экранирующая сетка делается более густой, чем управляющая, и задерживает большую часть поля анода и, соответственно, существенно уменьшает проходную емкость Сс1.
Ослабление поля анода экранной сеткой (2-й сеткой) характеризуется проницаемостью D2, а ослабление поля управляющей сеткой (1-й сеткой) – проницаемостью D1. Результирующая проницаемость обеих сеток D есть произведение D1 и D2:
.
Статический коэффициент усиления, соответственно, равен
.
Тетрод также заменяют эквивалентным диодом, в котором действующим напряжением является напряжение:
.
(4)
На экранную сетку подается постоянное положительное напряжение, равное (20 – 50)% от анодного. Оно создает на участке катод – экранная сетка ускоряющее электрическое поле, необходимое для движения электронов к аноду (поскольку поле анода сильно ослаблено двумя сетками).
Слагаемое D1D2Va в (4) мало и им можно пренебречь. Тогда (4) переходит в
.
(5)
Для
того чтобы запереть лампу, надо, чтобы
Vд
= 0. Тогда из (5) получаем напряжение на
управляющей сетке, при котором происходит
запирания лампы,
:
.
(6)
Поскольку управляющая сетка не густая, ее проницаемость D1 – большая величина и поэтому согласно (6) большая по модулю величина и находится далеко от нуля (слева !). Это означает, что в тетроде анодно-сеточная характеристика является «левой».
Поскольку μ
определяется произведением
,
то результирующая проницаемость
значительно меньше единицы: D
<< 1 (D1
< 1, D2
<< 1). Следовательно, статический
коэффициент усиления μ
– большая
величина.
Таким образом, мы получаем, что при
большом
μ тетрод
имеет левые
анодно-сеточные характеристики.
Существенным недостатком тетрода является динатронный эффект анода, заключающийся в уменьшении анодного тока Ia и в возникновении тока экранной сетки Ic2 при Vc2 > Va (в отдельные промежутки времени при значительных амплитудах колебания анодного напряжения).
Сущность динатронного эффекта заключается в следующем. Электроны, ударяя в анод, выбивают из него вторичные электроны (происходит вторичная электронная эмиссия). В принципе, вторичная электронная эмиссия из анода существует и в диоде и в триоде. Однако в них она не вызывает отрицательных последствий, поскольку в них вторичные электроны возвращаются на анод, так как он всегда имеет наибольший потенциал по сравнению с другими электродами. В тетроде же при Vc2 > Va вторичные электроны собираются экранной сеткой и создают ток Ic2.
Для устранения динатронного эффекта вводится еще одна – третья сетка, называемая защитной или антидинатронной сеткой, и лампа становится пентодом.
Защитная сетка в пентоде обычно соединяется с катодом, то есть имеет отрицательный потенциал относительно анода. Электрическое поле, созданное в промежутке анод – защитная сетка, тормозит, останавливает и возвращает на анод вторичные электроны.