
- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Параметры диодов
Крутизна анодной характеристики S:
.
Из закона 3/2-х (16) получаем
.
Дифференциальное сопротивление (сопротивление переменному току)
.
Сопротивление лампы постоянному току
.
Межэлектродные ёмкости. Они формируются из ёмкостей между электродами, их выводами и ёмкости, обусловленной наличием распределенных в пространстве зарядов.
Трехэлектродные лампы (триоды)
И
зобретение
триода относят Ли де Форесту (США),
который в 1909 г. ввел в вакуумную лампу
третий
электрод.
Триод имеет дополнительный электрод, выполненный в виде металлической сетки. Сетка располагается ближе к катоду, чем к аноду. Поэтому изменение сеточного напряжения значительно сильнее влияет на напряженность электрического поля вблизи катода, а, следовательно, и на анодный ток. Поэтому сетку называют управляющей.
Анодный ток триода
можно рассчитать путем замены триода
эквивалентным диодом, если на месте
сетки расположить анод, а действие анода
считать ослабленным экранированием
сетки (см. рисунок). В таком диоде при
некотором анодном напряжении
анодный ток Ia
равен анодному току в триоде. Это
напряжение эквивалентного диода,
называемое действующим,
выражается формулой
.
Смысл этой формулы заключается в следующем. Сетка действует своим полем в полную силу (без ослабления), а поле, создаваемое анодным напряжением в пространстве катод – сетка, ослаблено (см. рисунок) за счет экранирующего действия сетки. Ослабление действия анода характеризуется проницаемостью сетки D. Чем гуще сетка, тем меньше проницаемость D.
В эквивалентном диоде роль анодного напряжения выполняет действующее напряжение . Поэтому закон степени 3/2-х для триода запишется так
.
Закон 3/2-х для триодов является приближенным, но он полезен при теоретическом рассмотрении работы триода. С помощью закона 3/2-х при данном напряжении анода Vа можно найти запирающее напряжение на сетке Vс0, при котором анодный ток обращается в нуль (Ia = 0):
.
Отсюда следует, что
.
Из этого соотношения видно, что, чем меньше D, тем меньше (по абсолютному значению) запирающее напряжение Vc0.
На практике функцию Ia = f(Vc, Va) принято характеризовать двумя семействами кривых, называемых анодно-сеточными и анодными характеристиками.
Зависимость
– это анодно-сеточная характеристика:
Зависимость
– это анодная характеристика:
Анодный ток изменяется нелинейно как с изменением Vc, так и с изменением Va. Только на средних участках эти характеристики почти линейны, так что здесь приблизительно соблюдается закон Ома.
Параметры триода:
Крутизна
или
.
Внутреннее сопротивление
или
.
Статический коэффициент усиления
.
Внутреннее уравнение лампы
Запишем зависимость анодного тока Ia от напряжений Vc и Va в виде полного дифференциала:
(1)
или
.
(2)
При постоянстве анодного тока (Ia = const): dIa = 0. Тогда (2) перепишется в виде
.
Откуда получаем:
.
(3)
Однако по определению
. (4)
Поэтому (3) перепишется
.
Эта формула называется внутренним уравнением лампы.
Найдем связь между D и μ:
При Ia = const согласно закону 3/2-х, Vд = Vc +DVa = const. Или
dVд = dVc + DdVa = 0.
Откуда получаем
,
или с учетом (4)
.
(5)
Согласно (5), чем меньше проницаемость D, то есть, чем гуще сетка, тем больше коэффициент усиления μ.
Межэлектродные емкости
Емкость
между сеткой и катодом ССК называется
входной емкостью. Емкость между сеткой
и анодом САС называется проходной.
Емкость между анодом и катодом САК
называется выходной.
Особенно «неприятной» является проходная емкость САС, поскольку она осуществляет положительную обратную связь между сеточной и анодной цепями.