- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Тема: Электронные лампы
Классификация электронных ламп:
По числу электродов (2 – диод, 3 – триод, 4 – тетрод, 5 – пентод, 6 – гексод);
По области применения (генераторные, усилительные, электрометрические, выпрямительные и т.д.)
Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
Диод состоит из подогреваемого катода (К) (прямого или косвенного накала) и анода (А). При включении диода в цепь, согласно схеме, в анодной цепи течет ток Ia.
Вольт-амперная характеристика (вах) диода
ВАХ диода нелинейная. Нелинейность ВАХ объясняется следующим образом. При наличии термоэлектронной эмиссии в пространстве между А и К в любой момент времени находятся электроны, движущиеся от К к А. Эти электроны образуют облако отрицательного заряда (пространственный заряд), которое изменяет распределение потенциала в диоде.
Рассмотрим плоские анод и катод. В отсутствие пространственного заряда распределение потенциала в пространстве катод–анод будет изображаться прямой линией, как в плоском конденсаторе. При наличии термоэлектронной эмиссии за счет пространственного заряда значение потенциала в любой точке пространства К – А, за исключением самих К и А, будет меньше (левый рисунок ниже).
Так как пространственный заряд оказывает тормозящее действие, то скорости электронов уменьшаются. С увеличением анодного напряжения концентрация электронов в облаке уменьшается, так как облако рассасывается. Поэтому и тормозящее действие пространственного заряда уменьшается, а анодный ток Ia увеличивается.
Когда потенциал анода становится настолько большим, что все электроны, испускаемые катодом, попадают на анод (потенциальная кривая не имеет минимума (левый рисунок), а кривая энергии электрона не имеет максимума (правый рисунок)), ток Ia достигает своего максимума Ias и не зависит от напряжения на аноде Va при его дальнейшем увеличении. Эта сила тока Ias – сила тока насыщения – определяется эмиссионной способностью катода и описывается выведенной нами ранее формулой Ричардсона – Дешмена.
Закон степени 3/2 (Ia = сVa3/2)
Рассмотрим случай, когда электроды плоские.
Предположим (первое упрощение), что напряженность электрического поля у катода равна нулю:
.
Примем обозначения для V(x): V(0) = 0 и V(d) = Va.
Предположим также (второе упрощение), что электроны покидают катод с нулевой скоростью: v(0) = 0.
Потенциал электрического поля будет удовлетворять уравнению Пуассона (для нашего одномерного случая):
. (1)
Запишем выражение для плотности тока в лампе
i = env. (2)
Найдем скорость электрона из соотношения
, (3)
.
(3’)
Используя (2) и (3’) для произведения en получаем:
. (4)
Подставив (4) в (1), получаем следующее уравнение:
,
(5)
где
.
Умножим обе части
этого уравнения на
:
. (6)
Соотношение (6) можно записать в виде
. (7)
Интегрируя (7) с учетом начальных условий, получаем
. (8)
Извлечем корень из правой и левой частей уравнения (8)
. (9)
После разделения переменных в (9) имеем
. (10)
Второе интегрирование (от 0 до х и от 0 до V) дает
. (11)
Подставляя а, получаем
.
(12)
После возведения в квадрат формула (12) переходит в
.
(13)
Отсюда находим плотность тока (в любой точке х)
. (14)
Плотность тока на аноде, когда х = d, а V = Va, есть
.
(15)
Эта формула называется законом степени 3/2.
Для тока через диод Ia из (15) получаем
.
(16)
Этот закон – закон степени трех вторых был получен Ленгмюром в 1913 году. Закон 3/2-х справедлив только для режима объемного заряда. В режиме насыщения (как мы уже знаем) ток анода равен току эмиссии и уже не зависит от напряжения Va (формула Ричардсона-Дешмена).
