- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
Фотоэлектронной эмиссией или внешним фотоэффектом называется испускание электронов из металлов, полупроводников и диэлектриков под действием электромагнитного излучения. Внешний фотоэффект был открыт в 1887 году Г. Герцем. Основные исследования этого явления проведены А.Г. Столетовым и А. Эйнштейном.
Р
ассмотрим
схему для наблюдения фотоэффекта и
построения вольт-амперной характеристики.
При отсутствии напряжения (то есть, когда V=0) ток в цепи (фототок) iф течет. Фототок iф при увеличении V увеличивается и достигает насыщения ( iфs). При увеличении напряжения по модулю в отрицательную сторону ток уменьшается до нуля при некотором значении V0.
Основные закономерности фотоэффекта:
1. Величина фототока насыщения iфs пропорциональна падающему потоку излучения (световому потоку) P (при неизменности его спектрального состава) – закон Столетова:
,
где S – называется токовой чувствительностью фотокатода. Для монохроматического излучения эта формула переписывается в виде:
,
где
– называется спектральной
чувствительностью фотокатода.
2. Для каждого
материала имеется своя длинноволновая
граница спектра излучения
(или
),
за которой фотоэлектронной эмиссии не
происходит.
3. Максимальная
(!) кинетическая энергия эмиттированных
электронов
(
– максимальная скорость электронов)
линейно
зависит
от частоты падающего излучения v
и не зависит
от величины светового потока Р.
Эйнштейн (в 1905 г.) введя понятие кванта света – фотона, имеющего энергию h, записал свою знаменитую формулу, которая теперь называется формулой Эйнштейна для фотоэффекта:
+ Ф. (1)
где Ф – работа выхода фотоэффекта.
При фотоэффекте падающее излучение поглощается только порциями (!) – квантами энергии h. Фактически закон Эйнштейна представляет собой закон сохранения энергии для фотоэффекта.
Замечание:
Фототок следует практически безынерционно
за изменением потока излучения: время
запаздывания составляет всего
с.
Формула Эйнштейна объясняет физический смысл задерживающего потенциала V0. А именно, V0 – это такой потенциал, при котором все эмиттированные электроны заторможены задерживающим полем и возвращены на фотокатод, то есть в этом случае вся кинетическая энергия самых высокоэнергетических электронов расходуется на работу в электрическом поле: еV0:
. (2)
Запишем формулу
для закона Эйнштейна (1) для граничной
частоты
,
при которой кинетическая энергия
:
.
(3)
Поскольку для каждого материала величина Ф – своя, то и граница (или 0) тоже для каждого материала своя. Это есть вторая закономерность.
Подставим работу фотоэффекта Ф из (3) в (1):
.
Откуда получим, что
.
(4)
Эта формула объясняет третью закономерность.
Величина светового потока P пропорциональна количеству фотонов. Поскольку каждый фотон взаимодействует не более, чем с одним электроном, ток насыщения iфs пропорционален P. Это есть первая закономерность.
Фотоэлектронная эмиссия – это последовательность трех процессов:
1. Поглощение фотонов электронами и переход этих электронов в более высокие энергетические состояния.
2. Частичное рассеяние энергии электронов при их движении в кристаллической решетке. Замечание: Максимальная скорость в формуле Эйнштейна стоит потому, что эта скорость соответствует случаю отсутствия рассеяния.
3. Выход подошедших к поверхности электронов в вакуум, если их энергии достаточно для преодоления потенциального барьера.
Эмиссионные
свойства фотокатода (эффективность)
характеризуют квантовым выходом
– числом выбитых с поверхности электронов,
приходящихся на один фотон. Если не
учитывать потерь, то есть рассеяния, то
,
так как при равновероятном движении
электронов по всем направлениям не
более половины из всех возбужденных
электронов перемещается внутри полусферы,
обращенной в сторону поверхности катода.
