- •Физическая электроника Введение
- •Тема: Основы зонной теории твердых тел
- •1. Зоны разрешенных значений энергии в кристалле
- •2. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.1. Число состояний в зоне
- •2.2. Связь заполнения зон с электрическими свойствами твердых тел
- •2.3. Поведение электронов во внешнем электрическом поле
- •3. Собственные полупроводники
- •4. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •4.1. Донорные уровни
- •4.2. Акцепторные уровни
- •Тема: Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах
- •1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака:
- •Функцию плотности состояний
- •Функцию распределения
- •2. Функция плотности состояний
- •3. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •3.1. Концентрация электронов в полупроводнике
- •3.2. Концентрация дырок в полупроводнике
- •4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
- •5.1. Донорный полупроводник
- •5.2. Акцепторный полупроводник
- •5.3. Закон действующих масс
- •5.4. Сильно легированные полупроводники
- •5.5. Компенсированные полупроводники
- •6. Статистика электронов в металлах
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4.3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Электронная эмиссия Введение
- •1. Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •2. Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •В ывод формулы для тока насыщения
- •3. Эффект Шоттки
- •4. Автоэлектронная эмиссия
- •5. Фотоэлектронная эмиссия
- •5.1. Основные закономерности. Формула Эйнштейна для фотоэффекта
- •5.2. Фотоэлектронная эмиссия из металлов
- •5.3. Фотоэлектронная эмиссия из диэлектриков и полупроводников
- •6. Вторичная электронная эмиссия
- •Тема: Электронные лампы
- •Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды)
- •Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры диодов
- •Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Внутреннее уравнение лампы
- •Недостатки триодов
- •Тетроды и пентоды
- •Тема. Электрический ток в газах
- •1. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения
- •2. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •3. Скорости генерации и рекомбинации
- •Несамостоятельный разряд в газе
- •5. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •7. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •8. Самостоятельный разряд
- •8.1. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •8.2. Зажигание самостоятельного разряда
- •8.2.1. Условия зажигания самостоятельного разряда
- •8.2.2. Процесс развития самостоятельного разряда
- •8.2.3. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •8.2.4. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
- •8.3. Формы самостоятельного разряда
- •8.3.1. Тлеющий разряд
- •8.3.2. Дуговой разряд
- •8.3.3. Коронный разряд
- •8.3.4. Искровой разряд
- •Тема: Движение электрона в электрических и магнитных полях
- •Электронная оптика
- •Движение электрона в однородном электрическом поле
- •3. Электростатическая электронная линза
- •1) Линзы-диафрагмы
- •2) Бипотенциальные линзы
- •3) Одиночные линзы
- •4. Магнитные линзы
- •Тема: Электронная микроскопия
- •Устройство электронного микроскопа
- •2. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
3. Эффект Шоттки
Плотность тока насыщения с увеличением напряжения все же немного увеличивается. Это явление называется эффектом Шоттки. Эффект Шоттки обусловлен уменьшением высоты потенциального барьера в результате действия электрического поля.
Изменение высоты
барьера
вызвано наличием внешнего электрического
поля, а изменение
– уменьшением работы против сил
электрического изображения
.
То есть, часть работы против сил
электрического изображения теперь (при
наличии поля) совершать не надо(!).
Рассчитаем величину :
Подставим сюда силу электрического изображения
и получим
.
Рассчитаем теперь величину :
.
В выражениях для
и
не известно значение
.
Найдем его. На вершине потенциального
барьера выдергивающая сила внешнего
поля
равна
удерживающей силе электрического
изображения
:
.
Отсюда получаем
и
.
Теперь найдем
:
.
Запишем теперь формулу Ричардсона-Дешмена с учетом эффекта Шоттки, которую назовем формулой Ричардсона-Дешмена-Шоттки:
,
где
.
4. Автоэлектронная эмиссия
Закон термоэлектронной
эмиссии с поправкой Шоттки дает очень
хорошее совпадение с экспериментом
вплоть до полей
В/см.
Однако
при больших
плотность тока начинает превосходить
значения, подсчитанные по формуле
Ричардсона-Дешмена-Шоттки. При очень
больших полях ток
существует даже при
холодном
катоде.
Это
явление –
явление электронной эмиссии при холодном
катоде получило название автоэлектронной
эмиссии.
Явление автоэлектронной эмиссии не находит объяснения в классической механике и в классической электродинамике. Оно объясняется квантовой механикой, в которой используется волновое представление электронов и прохождение электронных волн сквозь потенциальный барьер – туннелирование.
Туннелирование – туннельный эффект осуществляется с определенной долей вероятности – прозрачностью потенциального барьера: D.
Прозрачность D
зависит от высоты и ширины барьера. А
именно, чем выше и шире барьер, тем меньше
прозрачность. Для электронов, у которых
энергия
,
при Ɛ=0 ширина потенциального барьера
равна бесконечности и D=0.
При Ɛ>0
барьер имеет конечную
ширину и
D
0.
Чем больше напряженность поля Ɛ,
тем меньше ширина и высота потенциального
барьера и тем больше D.
Решение задачи для плотности тока электронов, проходящих сквозь потенциальный барьер, дает для плотности тока:
.
Из этого выражения
следует, что плотность тока i
увеличивается при увеличении напряженности
электрического поля Ɛ за счет 1) множителя
перед экспонентой и 2) присутствия Ɛ в
показателе экспоненты.
