- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •Компенсированные полупроводники
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
- •18. Тетроды и пентоды
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •25.Электронная оптика
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
18. Тетроды и пентоды
Четырехэлектродные
лампы – тетроды имеют вторую сетку,
называемую экранирующей или экранной.
Эта сетка располагается между управляющей
сеткой и анодом.
Действие экранирующей сетки заключается в том, что она экранирует катод и управляющую сетку от действия анода. Экранирующая сетка делается более густой, чем управляющая, и задерживает большую часть поля анода и, соответственно, существенно уменьшает проходную емкость Сс1.
Ослабление поля анода экранной сеткой
(2-й сеткой) характеризуется проницаемостью
D2, а ослабление
поля управляющей сеткой (1-й сеткой) –
D1. Результирующая
проницаемость обеих сеток D
есть произведение D1
и D2:
,
а статический коэффициент усиления,
соответственно, равен
.
Тетрод также можно заменить эквивалентным
диодом, в котором действующим напряжением
будет
На экранную сетку подается постоянное положительное напряжение, равное (20 – 50)% от анодного. Оно создает на участке катод – экранная сетка ускоряющее электрическое поле, необходимое для движения электронов к аноду (поскольку поле анода сильно ослаблено двумя сетками).
Слагаемое D1D2Va
в (4) мало и им можно пренебречь. Тогда
перейдет в
Для того чтобы запереть лампу, надо,
чтобы Vд =
0. Тогда из (5) получаем
Поскольку управляющая сетка не густая,
D1 – большая
величина и поэтому согласно (6)
большая
по модулю величина и находится далеко
от нуля (слева !). Это означает, что
в тетроде анодно-сеточная характеристика
является «левой».
Поскольку μ определяется произведением
,
то результирующая проницаемость D
<< 1 (D1 <
1, D2 << 1).
Следовательно, статический коэффициент
усиления μ – большая
величина. Таким образом, мы получаем,
что при большом μ тетрод имеет левые
анодно-сеточные характеристики.
Существенным недостатком тетрода является динатронный эффект анода, заключающийся в уменьшении анодного тока Ia и в возникновении тока экранной сетки Ic2 при Vc2 > Va (в отдельные промежутки времени при значительных амплитудах колебания анодного напряжения).
Сущность динатронного эффекта заключается в следующем. Электроны, ударяя в анод, выбивают из него вторичные электроны (вторичная электронная эмиссия). В принципе, вторичная электронная эмиссия из анода существует и в диоде и в триоде. Однако в них она не вызывает отрицательных последствий, поскольку вторичные электроны возвращаются на анод, так как он всегда имеет наибольший потенциал по сравнению с другими электродами. В тетроде же при Vc2 > Va вторичные электроны собираются экранной сеткой.
Для устранения динатронного эффекта вводится еще одна – третья сетка, называемая защитной или антидинатронной сеткой, и лампа становится пентодом.
Защитная сетка в пентоде обычно соединяется с катодом, то есть имеет отрицательный потенциал относительно анода. Электрическое поле, созданное в промежутке анод – защитная сетка, тормозит, останавливает и возвращает на анод вторичные электроны.
16.Двухэлектродные вакуумные лампы (диоды), ВАХ, Закон степени 3/2 (Ia = сVa3/2), Параметры диодов
Д
иод
состоит из подогреваемого катода (К)
(прямого или косвенного накала) и анода
(А). При включении диода в цепь, согласно
схеме, в анодной цепи течет ток Ia.
ВАХ диода нелинейная. Нелинейность
ВАХ объясняется следующим образом. При
наличии термоэлектронной эмиссии в
пространстве между А и К в любой момент
времени находятся электроны, движущиеся
от К к А. Эти электроны образуют облако
отрицательного заряда (пространственный
заряд), которое изменяет распределение
потенциала в диоде.
Рассмотрим плоские анод и катод. В отсутствие пространственного заряда распределение потенциала в пространстве катод–анод будет изображаться прямой линией, как в плоском конденсаторе. При наличии термоэлектронной эмиссии за счет пространственного заряда значение потенциала в любой точке пространства К – А, за исключением самих К и А, будет меньше (левый рисунок ниже).
Так как пространственный заряд оказывает тормозящее действие, то скорости электронов уменьшаются. С увеличением анодного напряжения концентрация электронов в облаке уменьшается, так как облако рассасывается. Поэтому и тормозящее действие пространственного заряда уменьшается. Ток Ia при этом увеличивается.
Когда потенциал анода становится настолько большим, что все электроны, испускаемые катодом, попадают на анод (потенциальная кривая не имеет минимума (левый рисунок), а кривая энергии электрона не имеет максимума (правый рисунок)), ток Ia достигает своего максимума и не зависит от Va при его дальнейшем увеличении. Эта сила тока Ias – сила тока насыщения – определяется эмиссионной способностью катода и описывается формулой Ричардсона – Дешмена.
Закон степени 3/2 (Ia = сVa3/2)
Рассмотрим
случай, когда электроды плоские.
Предположим (первое упрощение), что
напряженность электрического поля у
катода равна 0:
.
Примем, обозначение для V(x): V(0) = 0 и V(d) = Va.
Предположим также (второе упрощение), что электроны покидают катод с нулевой скоростью: v(0) = 0.
Потенциал электрического поля будет
удовлетворять уравнению Пуассона (для
нашего одномерного случая):
.
Запишем выражение для плотности тока
в лампе i = env.
Найдем скорость электрона из соотношения
=>
.
Используя пл.тока, получаем
Подставляя (1), получаем следующее
уравнение
,где
Умножим обе части этого уравнения на
:
Соотношение можно записать в виде
Интегрируя с учетом начальных условий,
получаем
Извлечем корень из правой и левой частей
уравнения
После разделения переменных в имеем
.
Второе интегрирование (от 0 до х и от 0
до V) дает
Подставляя а, получаем
После возведения в квадрат формула
переходит в
Отсюда находим плотность тока (в любой
точке х)
Плотность тока на аноде, когда х = d,
а V = Va,
есть
Эта формула называется законом степени
3/2.
Для тока через диод Ia
из (15) получаем
Этот закон – закон степени трех вторых был получен Ленгмюром в 1913 году. Закон 3/2-х справедлив только для режима объемного заряда. В режиме насыщения (как мы уже знаем) ток анода равен току эмиссии и уже не зависит от напряжения Va (формула Ричардсона-Дешмена).
Параметры диодов
Крутизна анодной характеристики S:
Из закона 3/2-х получаем
.Дифференциальное сопротивление (сопротивление переменному току)
.Сопротивление лампы постоянному току
.Межэлектродные ёмкости. Они формируются из ёмкостей между электродами, их выводами и ёмкости, обусловленной наличием распределенных в пространстве зарядов.
