- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •Компенсированные полупроводники
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
- •18. Тетроды и пентоды
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •25.Электронная оптика
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Магнитные линзы
Кроме
электростатических линз существуют (и
имеют практическое применение) еще и
магнитные линзы. Широкое применение
имеют магнитные линзы, образованные
неоднородным аксиально симметричным
магнитным полем. Рассмотрим магнитную
линзу в виде катушки индуктивности:
На рисунке: А – точка-объект, В – точка-изображение.
9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
x0 – межатомное расстояние.
В
модели:
1. Внутри двойного электрического слоя существует однородное электрическое поле Ɛ (от 0 до x0) и действует постоянная сила Fсл=Ɛe.
2. За слоем действует сила электрического изображения Fi:
Считаем, что на границе слоя в точке х0 сила изображения Fi без скачка (см. рисунок) переходит в силу двойного электрического слоя:
Рассчитаем работу выхода Ea
– работу, совершаемая электроном
при удалении его с поверхности металла
в бесконечность. Ea
– это работа, совершаемая против
1) силы двойного слоя
и 2) силы электрического изображения
:
Итак, мы получили, что работа выхода равна
Из этой формулы следует, что чем меньше межатомное расстояние, тем больше работа выхода.
28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Электронная
микроскопия – совокупность методов
исследования микроструктур тел с помощью
электронных микроскопов.
Электронный микроскоп – прибор для наблюдения и регистрации (фотографирования) многократно увеличенного (до 106 раз) изображения объектов, в котором вместо световых лучей используются пучки электронов, ускоренных до больших энергий (50 – 100 кэВ) в условиях глубокого вакуума.
Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Согласно законам геометрической оптики для общего увеличения микроскопа М мы имеем:
где Моб – увеличение
объектива, а Мпр.л –
увеличение проекционной линзы. Однако
геометрическая оптика, давая правильную
оценку увеличения микроскопа, ничего
не может сказать о самом главном в
микроскопии – о наименьшем разрешаемом
расстоянии δ и о полезном
увеличении
Наименьшее
разрешаемое расстояние
дает дифракционная теория микроскопа:
, где n – показатель
преломления среды, в которой находится
объект (!),u – апертурный
угол объектива,
– апертурное число.
Пусть деталь объекта размером d
увеличивается на изображении до размера
D, тогда увеличение
микроскопа будет равно:
Если теперь подставить в (3) вместо
,
где
– минимальный размер объекта,
разрешаемого глазом, то получится уже
полезное увеличение микроскопа
:
Оценим полезное увеличение светового
микроскопа. Возьмем
(коротковолновый край видимой части
спектра),
и
Тогда из (4) мы получим
Полезное увеличение хорошего
светового микроскопа может достигать
значений 1500 – 2000. Аберрации, в принципе,
могут снижать разрешающую способность
светового микроскопа и, следовательно,
уменьшать его полезное увеличение.
Однако в современных световых микроскопах
аберрации исправлены настолько хорошо,
что теоретический предел (5) на практике
фактически достигается. В современных
просвечивающих электронных
микроскопах пучок электронов имеет
скорость
,
соответствующую ускоряющему напряжению
.
Этой скорости соответствует длина волны
электрона, равная длине волны де Бройля:
.Из-за большой сферической
аберрации электронные линзы очень
несовершенны. Во избежание влияния
сферической аберрации приходится
применять малые апертурные углы u
порядка
радиан. Соответственно и апертурное
число оказывается достаточно малым
.
В результате, наименьшее разрешаемое
расстояние в электронном микроскопе
оказывается равным всего лишь
,
а полезное увеличение
=
150 – 200 тысяч. Однако это увеличение все
равно существенно, а именно, на два
порядка, превышает увеличение светового
микроскопа.
