- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •Компенсированные полупроводники
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
- •18. Тетроды и пентоды
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •25.Электронная оптика
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Искровой разряд
Искровой разряд возникает между плоскими (или слабо закругленными) электродами при больших давлениях. Искра – это прерывистый во времени разряд, проходящий по тонким извилистым ярко светящимся каналам. Искровой разряд можно рассматривать как стадию, на которой заканчивается развитие самостоятельного разряда, когда мощность источника невысока (!).
25.Электронная оптика
К изучению движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях можно подойти, основываясь на волновых свойствах частиц. В некоторых случаях (дифракция и отражение электронов от кристаллической решетки – электронная волновая оптика) это просто необходимо. Однако известно, что при уменьшении длины волны волновая оптика переходит в геометрическую (геометрическая оптика – это оптика, в которой действуют законы прямолинейного распространения, отражения и преломления световых лучей).
В подавляющем числе случаев, где рассматривается движение электронов в электрических и магнитных полях – электромагнитных полях (электронные вакуумные приборы: электронные пушки, электронный микроскоп и т.д.) длина волны электронов настолько мала, что критерий применимости геометрической оптики в них выполняется в полной мере. Поэтому в дальнейшем мы будем пользоваться представлениями об электронных лучах и рассчитывать их параметры методами геометрической оптики. При этом результаты изучения движения заряженных частиц методами геометрической оптики должны будут совпадать с результатами электронной баллистики, рассчитывающей траектории движения электронов.
Покажем это:
1. Основное положение геометрической оптики – принцип Ферма – гласит: при распространении света между двумя точками А и В луч выбирает такой путь, время его распространения по которому минимально, то есть вариация времени равна нулю:
,
где ds – перемещение
(элемент пути),
– скорость света в среде (равная отношению
скорости света в вакууме с к
показателю преломления среды n).
2. Движение материальной частицы (между
точками А и В) в поле консервативных сил
подчиняется принципу наименьшего
действия – принципу Мопертюи,
согласно которому вариация действия
равна нулю:
,
где
–
элемент действия (
– действие).
Сравнение показывает, что путь, проходимый
лучом света между точками А и В через
среду с показателем n,
совпадает с траекторией частицы,
движущейся между этими же точками, если
при этом на частицу (электрон) действуют
силы (со стороны электрического и
магнитного полей) так, что скорость
(x,у,z)
изменяется пропорционально показателю
n (x,у,z):
~ n или
, где b – коэффициент
пропорциональности. Приняв b
= 1 (поскольку практическое значение
имеет отношение показателей преломления,
а не сам показатель преломления),
записываем:
тЭто
соотношение показывает связь между
показателем преломления с напряжением.
Рассмотрим
пример полного внутреннего отражения
электронных лучей в однородном
электрическом поле.
Пусть электрон входит в однородное
электрическое тормозящее поле под
углом α к силовым линиям. Проведем
систему близких эквипотенциальных
поверхностей – плоскостей V0,V1,V2…и
заменим временно истинное распределение
потенциала ступенчатым, полагая,
что на первой плоскости потенциал
меняется скачком от V0
до V1 ,
затем считается постоянным,
на второй плоскости меняется опять
скачком от V1 до
V2 и т.д.
Соответственно, и показатель преломления
среды будет постоянным в пространстве,
где потенциал постоянен, и изменяться
скачком при переходе через плоскость
раздела потенциалов.
Если число скачков потенциала увеличить до бесконечности, в пределе мы получим истинную траекторию движения электрона – параболу.
