- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •Компенсированные полупроводники
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
- •18. Тетроды и пентоды
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •25.Электронная оптика
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Процесс развития самостоятельного разряда
В самом начале возникновения самостоятельного разряда возникает первая электронная лавина, которая за время 10-7–10-8 с проходит к аноду и оставляет(!) за собой облако положительных ионов, так как ионы двигаются (к катоду) медленно (!). Объемный заряд положительных ионов искажает поле внутри разрядного промежутка.
После
второй лавины поле еще сильнее искажается.
При этом у анода поле становится слабее
и эта область слабого поля у анода
расширяется от лавины к лавине. Почти
все поле «стягивается» к катоду (!).
Таким образом, почти все падение напряжения будет находиться вблизи катода. Анод как бы продвигается к катоду (А1, А2, А3). С каждой лавиной расстояние между анодом и катодом становится все меньше и меньше: d3<d2<d1<d.
Коэффициент ионизационного нарастания
μ зависит от произведения αd.
При стягивании электрического поля к
катоду d – уменьшается, а α –
увеличивается. Действительно, уменьшение
d вызывает увеличение отношения
(за счет увеличения Ɛ), а увеличение
приводит к увеличению α, поскольку α и
связаны соотношением
.При
стягивании поля к катоду значение α
– увеличивается, а расстояние d –
уменьшается.
Для этого рассмотрим зависимость величины от отношения .
При
увеличении
(=x) увеличивается
(=y). При этом
,
как видно из рисунка, увеличивается
на участке 0M. В точке M
величина
достигает максимального значения.
Следовательно, и произведение αd
в этой точке максимально. Вместе с ним
здесь максимально и ионизационное
нарастание
!
После точки M произведение αd, а, следовательно, и μ уменьшаются. Видно, что ионизационное нарастание μ сначала растет до некоторого максимального значения в точке M, а затем уменьшается.
Развитие и установление самостоятельного разряда
Рассмотрим теперь процессы развития и установления самостоятельного разряда.
Допустим, что приложено такое напряжение V, и, следовательно поле , при котором произведение αd такое, что μ=1 (точка «В»). Тогда возникает лавина – первая лавина и анод «продвигается» к катоду, а увеличивается. Увеличение влечет за собой увеличение произведения αd и ионизационного нарастания μ. Таким образом, точка «В» является неустойчивой – в ней разряд не задерживается. Со следующими лавинами поле все сильнее и сильнее стягивается к катоду, а αd и μ – увеличиваются, достигают максимума в точке «М», а затем уменьшаются. Это уменьшение ионизационного нарастания μ происходит до тех пор, пока не станет удовлетворяться условие μ=1 (точка «С»). В точке «С» разряд будет устойчивым (!). Действительно, если поле будет дальше стягиваться, то величина μ будет меньше единицы. Поэтому лавина будет ослабевать, а поле станет растягиваться (объемный заряд будет рассасываться), то есть будет уменьшаться и система вернется в точку «С», где μ=1.
24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
Условие зажигания: μ=1 (
)
описывает условие возникновения
самостоятельного разряда в момент его
зажигания. Напряжение на электродах,
соответствующее этому состоянию,
называется потенциалом (напряжением)
зажигания V3
.
Найдем эту величину. Для этого подставим
в (24) величину
:
,где учтено, что
,
и получим:
Откуда следует, что:
Эта формула носит название закона
Пашена.
Вспомним, что
,
.
Из (25) видно, что
зависит не от p и d
поотдельности, а от их произведения (!).
Зависимость
от произведения pd
называется зависимостью или кривой
Пашена. Все кривые Пашена
(кривые, построенные при различных
значениях величин B, A
и γ) имеют вид:
Кривые
Пашена проявляют экстремальный характер,
а именно, проходят через минимум.
Появление минимума на зависимости
(pd)
объясняется следую-щим образом.
Если давление мало и
,
то большинство электронов беспрепятственно
(без соударений) достигает анода, и число
ионизирующих столкновений мало. В
этом случае в зажигании разряда должна
усиливаться роль γ-процессов, чего можно
достичь повышением напряжения
.
То есть, при уменьшении p
растет
(левая часть зависимости
(pd)).
Если же давление велико и
,
то число электронов (
),
получающих достаточную энергию
,
также невелико. Чтобы повысить это
число, надо увеличивать поле Ɛ, то
есть
(правая часть зависимости
(pd)).
Очевидно, что где-то в промежутке между
большими и малыми значениями pd
должен быть минимум зависимости
.
После пробоя разрядного промежутка
и возникновения самостоятельного
разряда, его форма может быть различной
в зависимости от 1) конфигурации
электродов, 2) давления газа, 3) внешних
электрических цепей. Самостоятельный
разряд по форме может быть тлеющим,
искровым, дуговым и коронным.
