- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •Компенсированные полупроводники
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
- •18. Тетроды и пентоды
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •25.Электронная оптика
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
Скорости генерации и рекомбинации
Наряду с процессом ионизации в газе протекает противоположно направленный (обратный) процесс – процесс рекомбинации, когда встречаются две частицы разных знаков: электрон и положительно заряженный ион или отрицательно заряженный ион и положительно заряженный ион, в результате чего образуется нейтральный атом или молекула.
Рассмотрим, как протекает рекомбинация в объеме газа. Допустим, что источник ионизации (например, рентгеновские лучи) создает в единицу времени в единице объема g пар ионов. Допустим также, что в газе нет электрического поля и ионы не покидают данный объем за счет диффузии. Тогда единственным процессом потери ионов в газе будет рекомбинация.
Обозначим через n – число пар ионов и электронов (или ионов положительного и отрицательного знаков) в единице объема (то есть n – концентрация ионов одного знака).
Рекомбинация происходит при встрече
положительного иона с отрицательным
ионом или электроном. Число таких встреч
пропорционально как числу положительных
(n), так и отрицательных
ионов (или электронов) (n),
то есть пропорционально произведению
.
Поэтому убыль ионов пропорциональна
n2 и скорость
рекомбинации R должна
быть записана как
.
Коэффициент пропорциональности здесь r называется коэффициентом рекомбинации.
11.Эффект Шоттки
Плотность тока насыщения с увеличением напряжения все же немного увеличивается. Это явление называется эффектом Шоттки. Эффект Шоттки обусловлен уменьшением высоты потенциального барьера в результате действия электрического поля.
Изменение
высоты барьера
вызвано наличием внешнего электрического
поля, а изменение
– уменьшением работы против сил
электрического изображения
.
То есть, часть работы против сил
электрического изображения теперь (при
наличии поля) совершать не надо(!).
Рассчитаем величину
:
Подставим сюда силу электрического изображения
и получим
.
Рассчитаем теперь величину
:
.
В выражениях для
и
не известно значение
.
Найдем его. На вершине потенциального
барьера выдергивающая сила внешнего
поля
равна удерживающей силе электрического
изображения
:
. Отсюда получаем
и
.
Теперь найдем
:
Запишем теперь формулу Ричардсона-Дешмена
с учетом эффекта Шоттки:
, где
.
20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
Р
ассмотрим
газ, находящийся между плоскими
электродами площадью S,
расположенными на расстоянии l
друг
от друга, подвергающийся внешней
ионизации (рентгеновское излучение,
УФ-излучение и так далее).
Пусть ионизатор производит g-пар ионов (или положительных ионов и электронов) разного знака в секунду в единице объема V (то есть, g – скорость генерации). Пусть на электроды подано напряжение V (небольшое).
В цепи электродов, а, следовательно, и через газ, течет электрический ток – ток несамостоятельного разряда.
Всего
число ионов (пар ионов) одного знака
есть
.
В
единицу времени создается ионов одного
знака (пар ионов)
.
В
единицу времени рекомбинирует ионов
одного знака (пар ионов)
.
В единицу времени уходит на электроды ионов одного знака (пар ионов)
Запишем уравнение баланса зарядов:
.
После деления на Sl получим
.
(1)
Рассмотрим далее стационарное состояние.
В
стационарном состоянии
то есть
и (1) должно быть
переписано в виде
.
(2)
Рассмотрим уравнение (2) в двух предельных случаях.
I.
Пусть ток (хотя и не
нулевой (!))
настолько мал, что членом
в правой части уравнения (2) можно
пренебречь. Тогда:
то есть скорость рекомбинации rn2 равна скорости генерации, а концентрация n – есть величина постоянная, определяемая величинами g и r.
В
этом случае плотность тока (в электрическом
поле) есть
.
Поскольку n = const (ε), то это означает, что в данном случае (случае малых токов и, следовательно, малых напряжений V) выполняется закон Ома: i ~ ε (или I~V):
II.
Пусть ток настолько велик, что, наоборот,
членом rn2
в (2) можно пренебречь. Тогда
(
– плотность тока
насыщения), то есть
)
или I
.
Объяснение. Физика явления заключается в том, что в случае сильных полей (больших напряжений V) за время пролета иона после его генерации до электрода он не успевает рекомбинировать. Это означает, что сколько зарядов образовалось в разрядном промежутке за время пролета, столько же зарядов и пришло на электроды.
