- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •Компенсированные полупроводники
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
- •18. Тетроды и пентоды
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •25.Электронная оптика
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
17. Трехэлектродные лампы (триоды)
Триод
имеет дополнительный электрод, выполненный
в виде металлической сетки. Сетка
располагается ближе к катоду, чем к
аноду. Поэтому изменение сеточного
напряжения значительно сильнее влияет
на напряженность электрического поля
вблизи катода, а, следовательно, и на
анодный ток. Поэтому сетку называют
управляющей сеткой.
Анодный
ток триода можно рассчитать путем замены
триода эквивалентным диодом, если на
месте сетки расположить анод, а действие
анода считать ослабленным экранированием
сетки (см. рисунок). В таком диоде при
некотором анодном напряжении
анодный ток Ia
равен анодному току в триоде. Это
напряжение эквивалентного диода,
называемое действующим, выражается
формулой
.
Смысл этой формулы заключается в следующем. Сетка действует своим полем в полную силу (без ослабления), а поле, создаваемое анодным напряжением в пространстве катод – сетка, ослаблено (см. рисунок) за счет экранирующего действия сетки. Ослабление действия анода характеризуется проницаемостью сетки D. Чем гуще сетка, тем меньше проницаемость D.
В эквивалентном диоде роль анодного
напряжения выполняет
,
поэтому закон степени 3/2-х для триода
запишется так
.
С помощью закона 3/2-х можно найти при
данном напряжении анода Vа
запирающее напряжение на сетке Vс0,
при котором анодный ток обращается в
нуль (Ia
= 0):
.
Отсюда следует, что
.
Из этого соотношения видно, что, чем меньше D, тем меньше (по абсолютному значению) запирающее напряжение Vc0.
На практике функцию Ia = f(Vc, Va) принято характеризовать двумя семействами кривых, называемых анодно-сеточными и анодными характеристиками.
З
ависимость
это анодно-сеточная характеристика.
Зависимость
это анодная характеристика.
Анодный ток изменяется нелинейно как с изменением Vc, так и с изменением Va. Только на средних участках эти характеристики почти линейны, так что здесь приблизительно соблюдается закон Ома.
Параметры триода:
Крутизна
или
.
Внутреннее сопротивление
или
.
Статический коэффициент усиления
Внутреннее
уравнение лампы
Запишем зависимость анодного тока от напряжений Vc и Va в виде полного дифференциала:
или
.
При постоянстве анодного тока (Ia = const):
dIa = 0. Тогда
.
Откуда
получаем:
Однако
по
определению. Поэтому
.
Эта формула называется внутренним уравнением лампы.
Найдем связь между D и μ:
При Ia = const согласно закону 3/2-х, Vд = Vc +DVa = const. Или
dVд
= dVc + DdVa = 0. Откуда получаем
,
или
Согласно (3), чем меньше проницаемость D, то есть, чем гуще сетка, тем больше коэффициент усиления μ.
Межэлектродные емкости
Емкость между сеткой и катодом ССК называется входной емкостью. Емкость между сеткой и анодом САС называется проходной. Емкость между анодом и катодом САК называется выходной.
Особенно «неприятной» является проходная емкость САС, поскольку она осуществляет положительную обратную связь между сеточной и анодной цепями.
Недостатки триодов
В
триодах нельзя совместить высокий
коэффициент усиления μ и «левую»
анодно-сеточную характеристику.
Действительно, при увеличении μ
уменьшается D и,
соответственно, уменьшается по модулю
величина Vc0
(Vc0
= ̶ DVa):
Vc0
(отрицательное) движется вправо
по оси Vc,
следовательно, и вся анодно-сеточная
характеристика сдвигается вправо.В триодах слишком большая проходная емкость.
В триодах сравнительно невысокое внутреннее сопротивление Ri. В резонансных усилительных каскадах сопротивление Ri шунтирует анодный колебательный контур и тем самым ухудшает его резонансные свойства (добротность).
Эти недостатки почти полностью устраняются введением дополнительной сетки.
