- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
Развитие и установление самостоятельного разряда
Рассмотрим теперь процессы развития и установления самостоятельного разряда.
Допустим, что приложено такое напряжение V, и, следовательно поле , при котором произведение αd такое, что μ=1 (точка «В»). Тогда возникает лавина – первая лавина и анод «продвигается» к катоду, а увеличивается. Увеличение влечет за собой увеличение произведения αd и ионизационного нарастания μ. Таким образом, точка «В» является неустойчивой – в ней разряд не задерживается. Со следующими лавинами поле все сильнее и сильнее стягивается к катоду, а αd и μ – увеличиваются, достигают максимума в точке «М», а затем уменьшаются. Это уменьшение ионизационного нарастания μ происходит до тех пор, пока не станет удовлетворяться условие μ=1 (точка «С»). В точке «С» разряд будет устойчивым (!). Действительно, если поле будет дальше стягиваться, то величина μ будет меньше единицы. Поэтому лавина будет ослабевать, а поле станет растягиваться (объемный заряд будет рассасываться), то есть будет уменьшаться и система вернется в точку «С», где μ=1.
Покажем, что все электроны с х ≥ xi (набравшие необходимую энергию) ионизуют атомы при соударении. Возьмем пучок из n0 электронов, которые начали двигаться в электрическом поле ε. В результате теплового движения и движения в электрическом поле электроны имеют свободные пробеги как большие, так и малые. Электроны, у которых λe ≥ xi будут производить ионизацию, а у которых λe < xi, ионизации производить не будут.
Возьмем формулу
для распределения электронов по длинам
свободного пробега
которая показывает,
какое число из первоначальных n0
электронов имеет пробег, больший х.
Если в взять х
= хi,
то все такие электроны будут ионизировать
газ:
.
На
пути в 1 см (на единице пути) один электрон
испытывает в среднем
столкновений. На
этом пути
электронов
испытают k
= nz
столкновений и вызовут ионизацию
Число ионизаций, производимых на том же (единичном) пути одним электроном, будет равно
Это есть не что
иное, как коэффициент ударной ионизации
.
Итак,
это
Поскольку
То
где
Тогда выражение для коэффициента ударной ионизации α перепишется в виде
гдеB
= ViA
Выражение (12) для
α обычно записывают в виде:
то есть
Зависимость
от
подтверждается экспериментально. Она
показывает, что величина
зависит от р
и
не по отдельности, а от отношения
.
То есть, если изменить р
и
так, чтобы отношение
не изменилось, то и величина
не изменится.
Физически
зависимость
объясняется следующим образом. Допусти,
что
и р
увеличены
от
и р1
до
и р2
таким образом, что отношение
к р не
изменяется:
.
Согласно (10)
свободныq
пробег
,
а вместе с
ним и минимальный
свободный пробег ионизации
хi,
уменьшаются
в
раз. В то же время, энергия
хiе
,
приобретаемая на этих пробегах,
остается
прежней,
так как напряженность поля
увеличивается
во столько же (
)
раз.
