- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
11.Эффект Шоттки
Плотность тока насыщения с увеличением напряжения все же немного увеличивается. Это явление называется эффектом Шоттки. Эффект Шоттки обусловлен уменьшением высоты потенциального барьера в результате действия электрического поля.
Изменение
высоты барьера
вызвано наличием внешнего электрического
поля, а изменение
– уменьшением работы против сил
электрического изображения
.
То есть, часть работы против сил
электрического изображения теперь (при
наличии поля) совершать не надо(!).
Рассчитаем величину
:
Подставим сюда силу электрического изображения
и получим
.
Рассчитаем теперь величину
:
.
В выражениях для
и
не известно значение
.
Найдем его. На вершине потенциального
барьера выдергивающая сила внешнего
поля
равна удерживающей силе электрического
изображения
:
. Отсюда получаем
и
.
Теперь найдем
:
Запишем теперь формулу Ричардсона-Дешмена
с учетом эффекта Шоттки:
, где
.
23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
Если увеличивать напряженность поля Ɛ
(увеличивая, например, напряжение V),
то будут возрастать α и γ, и ток будет
возрастать. Опыт показывает, что при
увеличении напряжения V на разрядном
промежутке наступает такой момент,
когда ток резко (!)
возрастает и одновременно так же
резко (!) усиливается свечение
разряда. В этом случае разряд переходит
в одну из форм самостоятельного разряда.Из
выражения следует, что
неограниченно (!) возрастает при
приближении его знаменателя к нулю:
Эта формула и представляет собой искомое условие зажигания самостоятельного разряда. Впервые это условие было сформулировано Таунсендом.
Обозначим слагаемое
.
Тогда условие зажигания перепишется в
виде
Величина μ (=
– называется коэффициентом ионизационного
нарастания.
Процесс развития самостоятельного разряда
В самом начале возникновения самостоятельного разряда возникает первая электронная лавина, которая за время 10-7–10-8 с проходит к аноду и оставляет(!) за собой облако положительных ионов, так как ионы двигаются (к катоду) медленно (!). Объемный заряд положительных ионов искажает поле внутри разрядного промежутка.
После
второй лавины поле еще сильнее искажается.
При этом у анода поле становится слабее
и эта область слабого поля у анода
расширяется от лавины к лавине. Почти
все поле «стягивается» к катоду (!).
Таким образом, почти все падение напряжения будет находиться вблизи катода. Анод как бы продвигается к катоду (А1, А2, А3). С каждой лавиной расстояние между анодом и катодом становится все меньше и меньше: d3<d2<d1<d.
Коэффициент ионизационного нарастания
μ зависит от произведения αd.
При стягивании электрического поля к
катоду d – уменьшается, а α –
увеличивается. Действительно, уменьшение
d вызывает увеличение отношения
(за счет увеличения Ɛ), а увеличение
приводит к увеличению α, поскольку α и
связаны соотношением
.При
стягивании поля к катоду значение α
– увеличивается, а расстояние d –
уменьшается.
Для этого рассмотрим зависимость
величины
от отношения
.
При
увеличении
(=x) увеличивается
(=y). При этом
,
как видно из рисунка, увеличивается
на участке 0M. В точке M
величина
достигает максимального значения.
Следовательно, и произведение αd
в этой точке максимально. Вместе с ним
здесь максимально и ионизационное
нарастание
!
После точки M произведение αd, а, следовательно, и μ уменьшаются. Видно, что ионизационное нарастание μ сначала растет до некоторого максимального значения в точке M, а затем уменьшается.
