- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
П
осле
выключения ионизатора и источника
питания имеем
Откуда, интегрируя найденное из (3) дифференциальное уравнение
с начальными и конечными условиями n, n0, t, 0, получаем
Согласно (4) тангенс угла наклона этой зависимости равен искомому коэффициенту рекомбинации r.
6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
Формула для определяет среднюю длину свободного пробега. Результат же каждого конкретного столкновения электрона с атомом зависит от фактической длины свободного пробега, которая принимает различные значения.
Для определения вероятности различных длин свободного пробега предположим, что в момент времени t=0 из поверхности с координатой х=0 в направлении оси х вылетело n0 электронов. Продолжая свое движение на пути dх, часть электронов сталкивается с частицами газа и число нестолкнувшихся частиц на пути dх уменьшается на dn.
Т
ак
как в среднем одна частица на единице
пути испытывает
столкновений,
то на пути dх
этих столкновений будет
и убыль нестолкнувшихся частиц составит
Знак «минус» здесь соответствует убыли электронов. Решение этого уравнения есть:
Это выражение определяет вероятность того, что фактическая длина свободного пробега будет больше х (относительное число тех электронов, чья длина свободного пробега больше х).
Функция
есть функция распределения длин свободного пробега: вероятность того, что длина свободного пробега заключена в пределе 0 – х. Другими словами это есть относительное число электронов, чья длина свободного пробега меньше х.
,
так как
.
В итоге для длины свободного пробега
электрона
получаем окончательно:
.
Видим, что средняя длина свободного
пробега электрона
значительно больше средней длины
свободного пробега молекулы
.
Скорости генерации и рекомбинации
Наряду с процессом ионизации в газе протекает противоположно направленный (обратный) процесс – процесс рекомбинации, когда встречаются две частицы разных знаков: электрон и положительно заряженный ион или отрицательно заряженный ион и положительно заряженный ион, в результате чего образуется нейтральный атом или молекула.
Рассмотрим, как протекает рекомбинация в объеме газа. Допустим, что источник ионизации (например, рентгеновские лучи) создает в единицу времени в единице объема g пар ионов. Допустим также, что в газе нет электрического поля и ионы не покидают данный объем за счет диффузии. Тогда единственным процессом потери ионов в газе будет рекомбинация.
Обозначим через n – число пар ионов и электронов (или ионов положительного и отрицательного знаков) в единице объема (то есть n – концентрация ионов одного знака).
Рекомбинация происходит при встрече
положительного иона с отрицательным
ионом или электроном. Число таких встреч
пропорционально как числу положительных
(n), так и отрицательных
ионов (или электронов) (n),
то есть пропорционально произведению
.
Поэтому убыль ионов пропорциональна
n2 и скорость
рекомбинации R должна
быть записана как
.
Коэффициент пропорциональности здесь r называется коэффициентом рекомбинации.
