- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
25.Электронная оптика
К изучению движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях можно подойти, основываясь на волновых свойствах частиц. В некоторых случаях (дифракция и отражение электронов от кристаллической решетки – электронная волновая оптика) это просто необходимо. Однако известно, что при уменьшении длины волны волновая оптика переходит в геометрическую (геометрическая оптика – это оптика, в которой действуют законы прямолинейного распространения, отражения и преломления световых лучей).
В подавляющем числе случаев, где рассматривается движение электронов в электрических и магнитных полях – электромагнитных полях (электронные вакуумные приборы: электронные пушки, электронный микроскоп и т.д.) длина волны электронов настолько мала, что критерий применимости геометрической оптики в них выполняется в полной мере. Поэтому в дальнейшем мы будем пользоваться представлениями об электронных лучах и рассчитывать их параметры методами геометрической оптики. При этом результаты изучения движения заряженных частиц методами геометрической оптики должны будут совпадать с результатами электронной баллистики, рассчитывающей траектории движения электронов.
Покажем это:
1. Основное положение геометрической оптики – принцип Ферма – гласит: при распространении света между двумя точками А и В луч выбирает такой путь, время его распространения по которому минимально, то есть вариация времени равна нулю:
,
где ds – перемещение
(элемент пути),
– скорость света в среде (равная отношению
скорости света в вакууме с к
показателю преломления среды n).
2. Движение материальной частицы (между
точками А и В) в поле консервативных сил
подчиняется принципу наименьшего
действия – принципу Мопертюи,
согласно которому вариация действия
равна нулю:
,
где
–
элемент действия (
– действие).
Сравнение показывает, что путь, проходимый
лучом света между точками А и В через
среду с показателем n,
совпадает с траекторией частицы,
движущейся между этими же точками, если
при этом на частицу (электрон) действуют
силы (со стороны электрического и
магнитного полей) так, что скорость
(x,у,z)
изменяется пропорционально показателю
n (x,у,z):
~ n или
, где b – коэффициент
пропорциональности. Приняв b
= 1 (поскольку практическое значение
имеет отношение показателей преломления,
а не сам показатель преломления),
записываем:
тЭто
соотношение показывает связь между
показателем преломления с напряжением.
Рассмотрим
пример полного внутреннего отражения
электронных лучей в однородном
электрическом поле.
Пусть электрон входит в однородное
электрическое тормозящее поле под
углом α к силовым линиям. Проведем
систему близких эквипотенциальных
поверхностей – плоскостей V0,V1,V2…и
заменим временно истинное распределение
потенциала ступенчатым, полагая,
что на первой плоскости потенциал
меняется скачком от V0
до V1 ,
затем считается постоянным,
на второй плоскости меняется опять
скачком от V1 до
V2 и т.д.
Соответственно, и показатель преломления
среды будет постоянным в пространстве,
где потенциал постоянен, и изменяться
скачком при переходе через плоскость
раздела потенциалов.
Если число скачков потенциала увеличить до бесконечности, в пределе мы получим истинную траекторию движения электрона – параболу.
