- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
Искровой разряд
Искровой разряд возникает между плоскими (или слабо закругленными) электродами при больших давлениях. Искра – это прерывистый во времени разряд, проходящий по тонким извилистым ярко светящимся каналам. Искровой разряд можно рассматривать как стадию, на которой заканчивается развитие самостоятельного разряда, когда мощность источника невысока (!).
18. Тетроды и пентоды
Четырехэлектродные
лампы – тетроды имеют вторую сетку,
называемую экранирующей или экранной.
Эта сетка располагается между управляющей
сеткой и анодом.
Действие экранирующей сетки заключается в том, что она экранирует катод и управляющую сетку от действия анода. Экранирующая сетка делается более густой, чем управляющая, и задерживает большую часть поля анода и, соответственно, существенно уменьшает проходную емкость Сс1.
Ослабление поля анода экранной сеткой
(2-й сеткой) характеризуется проницаемостью
D2, а ослабление
поля управляющей сеткой (1-й сеткой) –
D1. Результирующая
проницаемость обеих сеток D
есть произведение D1
и D2:
,
а статический коэффициент усиления,
соответственно, равен
.
Тетрод также можно заменить эквивалентным
диодом, в котором действующим напряжением
будет
На экранную сетку подается постоянное положительное напряжение, равное (20 – 50)% от анодного. Оно создает на участке катод – экранная сетка ускоряющее электрическое поле, необходимое для движения электронов к аноду (поскольку поле анода сильно ослаблено двумя сетками).
Слагаемое D1D2Va
в (4) мало и им можно пренебречь. Тогда
перейдет в
Для того чтобы запереть лампу, надо,
чтобы Vд =
0. Тогда из (5) получаем
Поскольку управляющая сетка не густая,
D1 – большая
величина и поэтому согласно (6)
большая
по модулю величина и находится далеко
от нуля (слева !). Это означает, что
в тетроде анодно-сеточная характеристика
является «левой».
Поскольку μ определяется произведением
,
то результирующая проницаемость D
<< 1 (D1 <
1, D2 << 1).
Следовательно, статический коэффициент
усиления μ – большая
величина. Таким образом, мы получаем,
что при большом μ тетрод имеет левые
анодно-сеточные характеристики.
Существенным недостатком тетрода является динатронный эффект анода, заключающийся в уменьшении анодного тока Ia и в возникновении тока экранной сетки Ic2 при Vc2 > Va (в отдельные промежутки времени при значительных амплитудах колебания анодного напряжения).
Сущность динатронного эффекта заключается в следующем. Электроны, ударяя в анод, выбивают из него вторичные электроны (вторичная электронная эмиссия). В принципе, вторичная электронная эмиссия из анода существует и в диоде и в триоде. Однако в них она не вызывает отрицательных последствий, поскольку вторичные электроны возвращаются на анод, так как он всегда имеет наибольший потенциал по сравнению с другими электродами. В тетроде же при Vc2 > Va вторичные электроны собираются экранной сеткой.
Для устранения динатронного эффекта вводится еще одна – третья сетка, называемая защитной или антидинатронной сеткой, и лампа становится пентодом.
Защитная сетка в пентоде обычно соединяется с катодом, то есть имеет отрицательный потенциал относительно анода. Электрическое поле, созданное в промежутке анод – защитная сетка, тормозит, останавливает и возвращает на анод вторичные электроны.
