- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
Электростатическая электронная линза
Рассмотрим движение электрона в
аксиально-симметричном электрическом
поле, осью симметрии которого является
ось z. Расчеты показывают,
что радиальная составляющая всякого
аксиально-симметрического (осе-симметричного)
поля вблизи оси симметрии (оси z)
равна:
где r – расстояние от
оси (координата r), Ф"
– вторая производная от потенциала по
z:
.
Из
(8) следует, что сила, действующая на
электрон, линейно зависит от расстояния
от оси симметрии r.
Покажем, что аксиально-симметричные
поля способны сводить в одну
точку-изображение параксиальные
(то есть лучи, идущие вблизи оси и под
малыми к ней углами) электронные лучи,
вышедшие из одной точки-объекта.
Пусть между двумя плоскостями z1 и z2 (сетками) действует аксиально-симметричное поле в круглом отверстии диафрагмы:
Пусть
,
тогда
(заряд электрона отрицательный(!)), то
есть, сила будет направлена к оси
(!). Пусть точка S – это
источник электронов, движущихся со
скоростями
.
Будем считать, что
.
Электронный луч, вышедший из S
под малым углом
к оси z, проходя через
поле, изменит свое направление на угол
.
Считаем, что r и,
следовательно,
при прохождении поля не изменяются, так
как
и
– мал. Тогда, поскольку теперь поле
однородное, можно записать:
, где
где
не зависит от r (!).
Пусть далее
настолько сильно, что
.
Тогда после прохождения поля луч
пересечет (!) ось z в
некоторой точке S′.
Если углы
малые (тогда
)
и, если считать отрезки влево от диафрагмы
отрицательными, а вправо – положительными,
то можно записать:
.
В это выражение расстояние от оси
не входит. Это значит, что все лучи,
выходящие из S под
разными (но малыми!) углами (то есть,
параксиальные лучи) сходятся в одной
и той же точке S′ –
изображении точки S.
Формула (12) совпадает с оптической
формулой тонкой линзы. Область поля
между плоскостями z1
и z2, где
,
называется электронной или
электростатической линзой, а f
– ее фокусным расстоянием.
Аналогичным образом, можно произвести
построение и для случая мнимого
изображения, то есть для рассеивающего
поля.
1) линзы-диафрагмы; 2) бипотенциальные линзы; 3) одиночные линзы; 4) электронные иммерсионные объективы.
Одиночные
линзы образуются полем трех аксиально
симметричных электродов в том случае,
когда крайние электроды соединены
вместе. В подавляющем числе случаев
крайние электроды совершенно одинаковы
по конструкции.
На рисунках изображены две одиночные линзы. Общим для них является то, что потенциал на среднем электроде равен нулю. В первой линзе крайние электроды находятся под положительным потенциалом, а во второй – под отрицательным. Первая линза является собирающей, а вторая рассеивающей. Оптическую силу электронных линз легко изменять, меняя напряжение на электродах.
Одиночные линзы часто используются в качестве объективных и проекционных линз в электронных микроскопах.
Магнитные линзы
Кроме
электростатических линз существуют (и
имеют практическое применение) еще и
магнитные линзы. Широкое применение
имеют магнитные линзы, образованные
неоднородным аксиально симметричным
магнитным полем. Рассмотрим магнитную
линзу в виде катушки индуктивности:
На рисунке: А – точка-объект, В – точка-изображение.
