- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
Условие зажигания: μ=1 (
)
описывает условие возникновения
самостоятельного разряда в момент его
зажигания. Напряжение на электродах,
соответствующее этому состоянию,
называется потенциалом (напряжением)
зажигания V3
.
Найдем эту величину. Для этого подставим
в (24) величину
:
,где учтено, что
,
и получим:
Откуда следует, что:
Эта формула носит название закона
Пашена.
Вспомним, что
,
.
Из (25) видно, что
зависит не от p и d
поотдельности, а от их произведения (!).
Зависимость
от произведения pd
называется зависимостью или кривой
Пашена. Все кривые Пашена
(кривые, построенные при различных
значениях величин B, A
и γ) имеют вид:
Кривые
Пашена проявляют экстремальный характер,
а именно, проходят через минимум.
Появление минимума на зависимости
(pd)
объясняется следую-щим образом.
Если давление мало и
,
то большинство электронов беспрепятственно
(без соударений) достигает анода, и число
ионизирующих столкновений мало. В
этом случае в зажигании разряда должна
усиливаться роль γ-процессов, чего можно
достичь повышением напряжения
.
То есть, при уменьшении p
растет
(левая часть зависимости
(pd)).
Если же давление велико и
,
то число электронов (
),
получающих достаточную энергию
,
также невелико. Чтобы повысить это
число, надо увеличивать поле Ɛ, то
есть
(правая часть зависимости
(pd)).
Очевидно, что где-то в промежутке между
большими и малыми значениями pd
должен быть минимум зависимости
.
После пробоя разрядного промежутка
и возникновения самостоятельного
разряда, его форма может быть различной
в зависимости от 1) конфигурации
электродов, 2) давления газа, 3) внешних
электрических цепей. Самостоятельный
разряд по форме может быть тлеющим,
искровым, дуговым и коронным.
Тлеющий разряд
Тлеющий
разряд возникает при малых (!)
давлениях (от сотых долей мм рт. ст. до
десятков мм рт. ст.).
В пространстве катод-анод (К–А) тлеющего разряда существует шесть областей.
1 – Астоново темное пространство – электроны выбиты из катода и еще не набрали скорости для возбуждения и ионизации;
2 – Катодный слой (светящаяся пленка) – идет возбуждение атомов (ионизации еще нет!);
3 – Темное катодное пространство (чуть светится) – начинается ионизация и нарастание лавины;
4 – Тлеющее свечение – свечение из-за рекомбинации электронов с ионами (лавина);
5 – Фарадеево темное пространство – в него не попадают быстрые электроны лавин. Электроны и ионы сюда попадают за счет диффузии. Поэтому нет ни возбуждающих, ни, тем более, ионизирующих столкновений;
6 – Положительное свечение или положительный столб – газ светится. Есть небольшое электрическое поле Ɛ. Поэтому скорость электронов повышается и происходят: и возбуждение, и ионизация и рекомбинация.
1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
Линзы-диафрагмы
образуются в отверстии металлического
экрана, разделяющего две области
пространства, в которых существуют
однородные электрические поля
(разной напряженности).
Направим ось электрического поля Ɛ слева направо. Тогда расчеты (здесь они не приводятся) для оптической силы дадут:
, а для фокусного расстояния
На первом рисунке
и
отрицательны и, поскольку
,
мы имеем:
Это значит, что эта линза собирающая
(!). Ее оптическая сила
быстро растет при уменьшении напряжения
на диафрагме
или разницы в напряженностях
.
На втором рисунке, так же как и на
первом,
и
отрицательны, но
,
поэтому:
и линза рассеивающая (!).
На третьем рисунке электрические
поля справа и слева от диафрагмы
направлены в разные стороны. Поскольку
при этом
,
то:
и линза рассеивающая (!).
Бипотенциальные линзы
Рассмотрим
случай двух диафрагм, изображенных на
рисунке:
Оптическая сила такой системы может быть рассчитана по формуле для оптической силы двух тонких оптических линз:
где d – расстояние между линзами, f1 и f2 – фокусные расстояния первой и второй линз, соответственно.
Если электрическое поле по обе стороны
от системы линз равно нулю (
),
то фокусные расстояния f1
и f2
электронных линз,есть:
,
Тогда оптическая сила системы равна:
Эта формула хорошо подтверждается экспериментом! Поскольку оптическая сила – величина положительная, то эта линза – собирающая (!).
При расстояниях d, не
слишком больших по сравнению с диаметром
отверстия
,
область однородного поля между диафрагмами
исчезает и тогда получается
бипотенциальная линза:
При изменении условия для напряжений на противоположное: V1>V2 (то есть, при изменении направления электрического поля на противоположное) бипотенциальная линза из собирающей превращается в рассеивающую. Такой же эффект получается и при изменении направления движения электронного пучка.
