- •6.Статистика электронов в примесных полупроводниках: Донорный полупроводник
- •7. Статистика электронов в примесных полупроводниках: Акцепторный полупроводник
- •Закон действующих масс
- •Сильно легированные полупроводники
- •17. Трехэлектродные лампы (триоды)
- •Компенсированные полупроводники
- •Недостатки триодов
- •19. Ионизация газов. Упругие и неупругие столкновения. Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия. Скорости генерации и рекомбинации
- •Длина свободного пробега. Эффективное сечение взаимодействия
- •20.Несамостоятельный разряд в газе. Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •21. Лавинный разряд. Явление усиления тока при наличии ионизирующего соударения
- •22. Самостоятельный разряд. Лавинный разряд при объемной ионизации электронами и гамма-процессах на катоде
- •Экспериментальное определение коэффициента рекомбинации
- •6. Распределение электронов по длинам свободного пробега
- •Скорости генерации и рекомбинации
- •11.Эффект Шоттки
- •23.Зажигание самостоятельного разряда. Развитие и установление самостоятельного разряда
- •Процесс развития самостоятельного разряда
- •Развитие и установление самостоятельного разряда
- •1.Зоны разрешенных значений энергии в кристалле. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
- •2.Собственные полупроводники. Локальные уровни в запрещенной зоне.
- •Локальные уровни в запрещенной зоне
- •12.Автоэлектронная эмиссия
- •3.Функция распределения в статистике Ферми-Дирака, функция плотности состояний
- •4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике
- •5.Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
- •8. Статистика электронов в металлах
- •10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
- •13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
- •24.Напряжение зажигания самостоятельного разряда. Формы самостоятельного разряда
- •Тлеющий разряд
- •1)Распределение потенциала между катодом и анодом в тлеющем разряде
- •2)Вольт-амперная характеристика тлеющего разряда:
- •27.Линзы-диафрагмы, Бипотенциальные линзы, Одиночные линзы. Магнитные линзы
- •28. Устройство электронного микроскопа. Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •Разрешающая способность и увеличение электронного микроскопа
- •26.Движение электрона в однородном электрическом поле. Электростатическая электронная линза
- •Электростатическая электронная линза
- •Магнитные линзы
- •9.Поверхностный потенциальный барьер для электронов в металле (Работа выхода)
- •Дуговой разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •18. Тетроды и пентоды
- •25.Электронная оптика
- •14.Фотоэлектронная эмиссия из металлов, диэлектриков и полупроводников
- •15.Вторичная электронная эмиссия.Фэу
10.Формула для плотности тока термоэлектронной эмиссии (Формула Ричардсона-Дешмена)
Эффект
насыщения тока, протекающего через
вакуумный диод, открыл Эдиссон в 1883
году.
Формулу для тока насыщения дали Ричардсон в 1901 году и уточнил Дешмен в 1923 году.
Вывод формулы для тока насыщения
Расчеты
проведем в предположении, что объем
кристалла V=1 (!).
Число квантовых состояний dZ
внутри элемента объема импульсного
пространства
с учетом спина электрона и с учетом
того, что элементарный объем (объем,
приходящийся на одно состояние) равен
,
есть:
Число
электронов в этом элементе объема с
учетом распределения Ферми-Дирака
равно:
Для эмиттированных электронов выполняется условие . Поэтому
,
где учтено, что:
.
Направим ось x перпендикулярно
к поверхности металла. Найдем долю
электронов
,
x-составляющая
импульса которых заключена между px
и px+dpx.
Для этого последнее выражение для dN
проинтегрируем по pz
и py
от –∞ до +∞:
.
Используя интеграл
(
),
получаем:
.
Плотность потока электронов, подходящих
(!) к поверхности и имеющих импульс в
пределах от
до
,
есть:
.
Плотность потока электронов, выходящих (!) с единицы поверхности, определяется электронами, имеющими энергию E > Ea (Ea – высота поверхностного потенциального барьера). Она равна:
,где
,
а Ф =
– работа выхода.
Наконец, плотность тока (тока насыщения) определяется произведением заряда электрона е и плотности потока Lx:
,где
.формула
Ричардсона-Дешмена.
13.Фотоэлектронная эмиссия: основные закономерности, процессы, квантовый выход
Фотоэлектронной эмиссией или внешним фотоэффектом называется испускание электронов из металлов, полупроводников и диэлектриков под действием электромагнитного излучения. Внешний фотоэффект был открыт в 1887 году Г. Герцем. Основные исследования этого явления проведены А.Г. Столетовым и А. Эйнштейном.
Р
ассмотрим
схему для наблюдения фотоэффекта и
построения вольт-амперной характеристики.
При отсутствии напряжения (V=0) ток в цепи (фототок) iф течет! Фототок iф при увеличении V увеличивается и достигает насыщения ( iфs), а при увеличении по модулю напряжения в отрицательную сторону уменьшается при некотором значении V0 до нуля.
Основные закономерности фотоэффекта:
1. Величина фототока насыщения iфs
пропорциональна падающему потоку
излучения (световому потоку) P
(при неизменности его спектрального
состава) – закон Столетова:
,
где S – называется токовой
чувствительностью фотокатода. Для
монохроматического излучения эта
формула переписывается в виде:
, где
– называется спектральной
чувствительностью фотокатода.
2. Для каждого материала имеется своя
длинноволновая граница спектра излучения
(или
),
за которой фотоэлектронной эмиссии не
происходит.
3. Максимальная (!) кинетическая
энергия эмиттированных электронов
(
– максимальная скорость электронов)
линейно зависит от частоты
падающего излучения v
и не зависит от величины
светового потока Р.
+ Ф, где Ф – работа выхода фотоэффекта.
При фотоэффекте падающее излучение поглощается только порциями (!) – квантами энергии h. Фактически закон Эйнштейна представляет собой закон сохранения энергии для фотоэффекта.
V0 – это такой
потенциал, при котором все электроны
заторможены задерживающим полем и
возвращены на фотокатод, то есть в
этом случае вся кинетическая энергия
уходит на работу в электрическом поле:
.
Запишем формулу для закона Эйнштейна
(1) для граничной частоты
,
при которой кинетическая энергия
:
.
Поскольку для каждого материала величина
Ф – своя, то и граница
(или 0) тоже
для каждого материала своя. Это есть
вторая закономерность.
.
Откуда получаем, что
Эта формула объясняет третью
закономерность.
Величина светового потока P пропорциональна количеству фотонов. Поскольку каждый фотон взаимодействует не более, чем с одним электроном, ток насыщения iф.s пропорционален P. Это есть первая закономерность.
Фотоэлектронная эмиссия – это последовательность трех процессов:
1. Поглощение фотонов электронами и переход этих электронов в более высокие энергетические состояния.
2. Частичное рассеяние энергии электронов при их движении в кристаллической решетке. (Замечание: Максимальная скорость в формуле Эйнштейна стоит потому, что эта скорость соответствует отсутствию рассеяния.)
3. Выход подошедших к поверхности электронов в вакуум, если их энергии достаточно для преодоления потенциального барьера.
Эмиссионные свойства фотокатода
(эффективность) характеризуют квантовым
выходом
– числом выбитых с поверхности электронов,
приходящихся на один фотон. Если не
учитывать потерь, то есть рассеяния, то
,
так как при равновероятном движении
электронов по всем направлениям не
более половины из всех возбужденных
электронов перемещается внутри полусферы,
обращенной в сторону поверхности катода.
