Протокол наблюдений.
В прямом направлении (при нагреве):
UT, мВ |
UП, мВ |
0,0 |
-1,0 |
-0,2 |
-2,5 |
-1,1 |
-11,3 |
-1,4 |
-15,3 |
-2,0 |
-22,1 |
-2,3 |
-23,9 |
-2,5 |
-36,2 |
-3,1 |
-38,0 |
-3,5 |
-48,0 |
-3,7 |
-55,0 |
-3,9 |
-60,0 |
-4,2 |
-62,0 |
В обратном направлении (при остывании):
UT, мВ |
UП, мВ |
-5,1 |
-73,0 |
-4,8 |
-60,0 |
-4,6 |
-55,0 |
-4,5 |
-50,0 |
-4,3 |
-45,0 |
-3,5 |
-40,0 |
-3,4 |
-35,0 |
-3,0 |
-25,0 |
-2,4 |
-20,0 |
-1,9 |
-15,0 |
-1,6 |
-12,0 |
-1,2 |
-9,0 |
-1,0 |
-6,0 |
-0,7 |
-3,0 |
Обработка результатов.
Нагрев:
UT, мВ |
UП, мВ |
|
0,0 |
-1,0 |
0 |
-0,2 |
-2,5 |
-5 |
-1,1 |
-11,3 |
-27,5 |
-1,4 |
-15,3 |
-35 |
-2,0 |
-22,1 |
-50 |
-2,3 |
-23,9 |
-57,5 |
-2,5 |
-36,2 |
-62,5 |
-3,1 |
-38,0 |
-77,5 |
-3,5 |
-48,0 |
-87,5 |
-3,7 |
-55,0 |
-92,5 |
-3,9 |
-60,0 |
-97,5 |
-4,2 |
-62,0 |
-105 |
График зависимости Uп = f(ΔТн) при нагреве:
Остывание:
UT, мВ |
UП, мВ |
|
-5,1 |
-73,0 |
-127,5 |
-4,8 |
-60,0 |
-120 |
-4,6 |
-55,0 |
-115 |
-4,5 |
-50,0 |
-112,5 |
-4,3 |
-45,0 |
-107,5 |
-3,5 |
-40,0 |
-87,5 |
-3,4 |
-35,0 |
-85 |
-3,0 |
-25,0 |
-75 |
-2,4 |
-20,0 |
-60 |
-1,9 |
-15,0 |
-47,5 |
-1,6 |
-12,0 |
-40 |
-1,2 |
-9,0 |
-30 |
-1,0 |
-6,0 |
-25 |
-0,7 |
-3,0 |
-17,5 |
График зависимости Uп = f(ΔТ0) при остывании:
Константы:
Кл
Вывод:
измерено
термо-э.д.с. полупроводника и термопары
в различные моменты времени при нагреве
и остывании, для каждого полученного
значения э.д.с. термопары Vт-э
определена разность температур
между горячим и холодным концами
исследуемой пластины полупроводника,
построены графики зависимостей
термо-э.д.с. полупроводника от разности
температур
для прямого и обратного хода в отдельности,
по тангенсу угла наклона полученных
зависимостей определена дифференциальная
термо-э.д.с.
полупроводника для прямого и обратного
хода, опредено среднее значение величины
,
по знаку термо-э.д.с. на горячем конце
полупроводника определён тип примесной
проводимости полупроводника –
электронная, так как знак отрицательный,
для среднего значения дифференциальной
термо-э.д.с. определена разность
.
Результаты расчетов:
Тип примесной проводимости полупроводника: n-тип.