Добавил:
DungeonMaster
t.me
мой будущий Dungeon
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:лекции / 11_Фотолитография.ppt
Экспонирование
Доза экспонирования: Q = J*t, где J – интенсивность излучения, t – время экспонирования.
Контраст резиста: γ = 1/lg(Q0/Q1), где Q0 – доза, которой достаточно для начала проявления, Q1 – доза полного проявления резиста.
Разрешение – число линий, получаемых без слияния на 1 мм поверхности.
Проявление
Взаимосвязь времени |
Зависимость скорости |
|
проявления экспонированного |
||
проявления и времени |
||
резиста от его молекулярной |
||
экспонирования |
||
массы при одинаковой дозе |
||
|
||
|
экспонирования |
Дефекты, возникающие при нарушении режимов экспонирования и проявления
Изменение размеров при переносе
изображения из резиста в подложку с помощью изотропного травления
|
|
|
|
|
Ш а б л о н |
M |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 . 1 |
м к м |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
Р е з и с т |
|
|
||
0 . 5 |
|
D |
L |
|||||
Т о н к а я |
R |
|
|
|
|
п л е н к а |
|
Д о п у с к |
|
Е |
|
|
1 м к м |
|
|
|
Перенос дефектов маски в подложку при травлении
