Литографические

процессы

Последовательность операций в стандартном фотолитографическом процессе:

очистка поверхности подложки;

нанесение фоторезиста;

сушка фоторезиста;

совмещение рисунка в подложке и фотошаблоне и экспонирование фоторезиста;

проявление;

задубливание фоторезиста;

травление функционального слоя через маску фоторезиста;

удаление фоторезиста;

нанесение нового функционального слоя и переход на шаг 1.

Требования к резистному покрытию

обеспечение планаризации;

обеспечение требуемого разрешения;

обеспечение незначительного числа проколов;

аспектное соотношение толщины резиста и функционального слоя при «взрывной» литографии ≥ 3:1;

малая усадка при сушке для предотвращения возникновения напряжений на границе резистная пленка – подложка;

скорость проявления экспонированного резиста/скорость проявления неэкспонированного резиста > 10

Фоторезисты

Негативные: (~ 260 – 320 нм) поливинилацетат (ПВЦ), проявитель -трихлорэтилен и изопропиловый спирт; изопропиловые (цикло) каучуки, проявитель - смесь ксилола с толуолом;

Позитивные: (350 – 450 нм) композиция нафтидиазин (НФТ) – фенолформальдегидные смолы; проявители - слабые растворы щелочей КОН (0,5 %) или NaОН (2 %)

Шаблон (фрагмент)

Типовые фигуры совмещения:

Экспонирование

EUV-литография

(extreme ultraviolet)

-λ ~ 13,4 нм;

-отражающая маска;

-оптическая система — многослойные зеркала вместо линз;

-- при каждом отражении поглощается около 1/3 энергии луча;

-- мощные источники излучения (синхротроны или плазма);

- экспонирование в вакууме, т. к. воздух поглощает EUV-излучение;

-используется микро-степпер (поле экспонирования 600х600 мкм2 при линейных размерах кристалла до 2 мм;

- наилучшее разрешение – 16 нм.

Оборудование для EUV-литографии