
Добавил:
DungeonMaster
t.me
мой будущий Dungeon
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:лекции / 8_Процессы жидкостного химического травления (2).ppt
X
- •Процессы жидкостного химического травления
- •Сопло струйного принтера
- •Общие принципы кинетики травления
- •Признаки реакции, контролируемой диффузией
- •Признаки процессов, контролируемых скоростью химической реакции
- •Состав травителя
- •Изотропное травление монокристаллического кремния
- •Анизотропное травление монокристаллического кремния
- •травления при анизотропном травлении определяется:
- •Зависимость скорости травления от концентрации травителя
- •Оборудование для жидкостного травления
- •При выборе травителя необходимо учитывать:
- •Основные анизотропные травители кремния
- •Глубина лунки при анизотропном травлении
- •Способы контроля и обеспечения воспроиз- водимости размеров упругих элементов:
- •Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(100)
- •Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(110)
- •Анизотропное травление подложки (110)
- •Угловые компенсаторы
- •Угловые компенсаторы
- •Селективное травление жертвенного слоя
- •Скорости травления жертвенного оксида разного состава в травителе 1:1 HF:HCl
- •Травление жертвенных и буферных слоев в буферном травителе (7:1)
- •Слипание в процессе освобождения структур
- •Электрохимическое травление
- •Строение пор в зависимости от времени и тока анодировния.

Селективное травление жертвенного слоя

Скорости травления жертвенного оксида разного состава в травителе 1:1 HF:HCl

Травление жертвенных и буферных слоев в буферном травителе (7:1)
Рекомендуемый состав буферного травителя: плавиковая кислота
(HF, 48%), фтористый аммоний (NH4F, 40%) и вода (H2O) в соотношении 2:7:1.

Слипание в процессе освобождения структур

Электрохимическое травление

Строение пор в зависимости от времени и тока анодировния.
а |
б |
в |
г д е
Изображения поверхности и срезов пористого кремния, полученные с помощью ФИП: а, б, в- образец КЭФ 0,3 (111) {I1=170 мА t1=30 мин, I2=40 мА t2=60 мин};
г, д, е –образец КЭФ 0,3 (111) {I=170 мА t=30 мин}.
Соседние файлы в папке лекции