- •Процессы жидкостного химического травления
- •Сопло струйного принтера
- •Общие принципы кинетики травления
- •Признаки реакции, контролируемой диффузией
- •Признаки процессов, контролируемых скоростью химической реакции
- •Состав травителя
- •Изотропное травление монокристаллического кремния
- •Анизотропное травление монокристаллического кремния
- •травления при анизотропном травлении определяется:
- •Зависимость скорости травления от концентрации травителя
- •Оборудование для жидкостного травления
- •При выборе травителя необходимо учитывать:
- •Основные анизотропные травители кремния
- •Глубина лунки при анизотропном травлении
- •Способы контроля и обеспечения воспроиз- водимости размеров упругих элементов:
- •Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(100)
- •Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(110)
- •Анизотропное травление подложки (110)
- •Угловые компенсаторы
- •Угловые компенсаторы
- •Селективное травление жертвенного слоя
- •Скорости травления жертвенного оксида разного состава в травителе 1:1 HF:HCl
- •Травление жертвенных и буферных слоев в буферном травителе (7:1)
- •Слипание в процессе освобождения структур
- •Электрохимическое травление
- •Строение пор в зависимости от времени и тока анодировния.
Оборудование для жидкостного травления
При выборе травителя необходимо учитывать:
легкость использования;
токсичность;
скорость травления;
требуемая топология нижней поверхности протравленной структуры;
совместимость с технологией ИС;
остановка травления;
избирательность по отношению к другим материалам;
материал и толщина маски.
Основные анизотропные травители кремния
|
Температура |
Скорость |
Состав травителя |
процесса, оС |
травления грани |
|
(100), мкм/мин |
|
|
|
|
КОН/вода, |
85 |
1,4 |
изопропиловый спирт |
|
/400/ |
Этилендиамин (NH2) |
115 |
1,25 |
(CH2)2NH2/пиро- |
|
/35/ |
катехин/вода, пиразин |
|
|
ТМАН (CH3)4NOH/вода |
90 |
1,0 |
|
|
/от 12,5 до 50/ |
Гидразин N2H4/вода, |
115 |
3,0 |
изопропиловый спирт |
|
/10/ |
Глубина лунки при анизотропном травлении
< 1 0 0 >
М а с к а о к с и д а |
< 1 1 0 > |
|
к р е м н и я |
||
|
||
|
< 1 1 0 > |
5 4 . 7 |
о |
a = A - 2(H-h) |
|
||
|
|
К р е м н и й |
Г р а н ь { 1 1 1 } |
|
|
Способы контроля и обеспечения воспроиз- водимости размеров упругих элементов:
контроль по времени травления;
периодический контроль;
оптический контроль;
контрольное подтравливание;
самоторможение.
Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(100)
Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(110)
Анизотропное травление подложки (110)
Угловые компенсаторы
