
- •Процессы жидкостного химического травления
- •Сопло струйного принтера
- •Общие принципы кинетики травления
- •Признаки реакции, контролируемой диффузией
- •Признаки процессов, контролируемых скоростью химической реакции
- •Состав травителя
- •Изотропное травление монокристаллического кремния
- •Анизотропное травление монокристаллического кремния
- •травления при анизотропном травлении определяется:
- •Зависимость скорости травления от концентрации травителя
- •Оборудование для жидкостного травления
- •При выборе травителя необходимо учитывать:
- •Основные анизотропные травители кремния
- •Глубина лунки при анизотропном травлении
- •Способы контроля и обеспечения воспроиз- водимости размеров упругих элементов:
- •Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(100)
- •Структуры, полученные анизотропным травлением в подложке Si(110)
- •Анизотропное травление подложки (110)
- •Угловые компенсаторы
- •Угловые компенсаторы
- •Селективное травление жертвенного слоя
- •Скорости травления жертвенного оксида разного состава в травителе 1:1 HF:HCl
- •Травление жертвенных и буферных слоев в буферном травителе (7:1)
- •Слипание в процессе освобождения структур
- •Электрохимическое травление
- •Строение пор в зависимости от времени и тока анодировния.

Процессы жидкостного химического травления
-Изотропное химическое травление -Анизотропное химическое травление -Селективное химическое травление

Сопло струйного принтера

Общие принципы кинетики травления
перенос реагента к поверхности подложки;
адсорбция реагента, характеризуется
Нads;
реакция на поверхности, приводит к изменению свободной энергии F;
десорбция продуктов, характеризуется
Нvap;
перенос продуктов от травящейся поверхности.

Признаки реакции, контролируемой диффузией
зависимость энергии активации от вязкости травителя, ее значения находятся в диапазоне 1 - 6 ккал/моль;
увеличение скорости реакции при перемешивании реагента;
одинаковая скорость травления всех кристаллографических плоскостей;
рост энергии активации при перемешивании.
Полирующее травление

Признаки процессов, контролируемых скоростью химической реакции
зависимость скорости реакции от концентрации травителя;
отсутствие зависимости скорости травления от перемешивания;
энергия активации составляет 8-20 ккал/моль.
Селективное травление.

Состав травителя
-Окислитель (NH4OH);
-Комплексообразователь (H2O2);
-Разбавитель (H2O).

Изотропное травление монокристаллического кремния
Si + 2HNO3 + 6HF H2SiF6 + 2HNO3 + 2H2O +125 ккал/моль
Используется для:
удаления поверхностного слоя, поврежденного на предыдущих операциях;
сглаживания острых углов, образовавшихся при анизотропном травлении (для предотвращения концентрации напряжений);
сглаживания шероховатостей, образовавшихся после сухого или анизотропного травления;
создания структур в монокристаллических подложках;
создания рельефа в монокристаллических, поликристаллических или аморфных пленках;
определения положения p-n переходов и дефектов (предварительным изотропным травлением);
утоньшения подложек.

Анизотропное травление монокристаллического кремния
а |
б |
||||||||||||
П о д т р а в л и в а н и е |
|
П о д т р а в л и в а н и е |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
S i O |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Si
Шп и н е л ь
Са п ф и р
Сравнение профилей лунок травления, полученных в изотропных и анизотропных травителях

травления при анизотропном травлении определяется:
ориентацией исходной пластины кремния;
формой маски для локального травления;
ориентацией маски на поверхности пластины кремния;
типом анизотропного травителя;
концентрацией компонентов травителя;
температурой травителя;
временем травления.
