
- •Плазменные методы нанесения и удаления вещества
- •Условия распыления в плазме газового тлеющего разряда
- •Катодная распылительная
- •Коэффициент распыления мишени
- •Зависимость Кр от энергии падающих ионов (а) и от угла падения ионов (б)
- •Массовая скорость распыления
- •Перенос распыляемого материала от мишени к поверхности конденсации
- •ВАХ самостоятельного
- •Магнетронная распылительная
- •Мишени
- •Ионно-плазменное осаждение, аппаратура
- •Ионно-плазменное осаждение, механизм
- •Стадии поверхностных процессов и его параметры
- •Плазменное и ионное травление
- •Подтравливание под маску из-за отражения потока частиц от поверхности нижележащего слоя
- •Стадии ионного травления через защитную маску
- •Bosh-процесс
- •Плазменное травление в химически активной среде
- •Примеры химических реакций, протекающих при плазменном травлении

Плазменные методы нанесения и удаления вещества

Условия распыления в плазме газового тлеющего разряда
-предварительная откачка камеры до высокого вакуума;
-атмосфера инертного или химически активного газа;
-давление в камере, необходимое для газового разряда – 0,1 – 10 Па;
-наличие ускоряющего электрического поля;
-разность потенциалов между анодом и катодом – 3∙102 ÷ 4 ∙103 В;
-постоянное или переменное (импульсное) напряжение на катоде;
-наличие магнитного поля вблизи катода.

Катодная распылительная
система

Коэффициент распыления мишени
К= Na / Nd
где Na - число выбитых (распыленных) атомов материала; Nd - число ионов, бомбардирующих материал.
Коэффициент распыления мишени сложного состава

Зависимость Кр от энергии падающих ионов (а) и от угла падения ионов (б)
Кр зависит от энергии иона, его массы, угла падения ионов, материала мишени, её температуры, состояния поверхности.
Диапазон энергий ионов: 300 — 5000 эВ.

Массовая скорость распыления
вещества катода
W= k(u-uнк)J /(pL)
где u — напряжение "анод — катод"; uнк — нормальное
катодное падение напряжения, при котором распыление пренебрежимо мало; J — плотность разрядного тока; p — давление рабочего газа; L — расстояние "катод — подложка"; k- постоянная, зависящая от рода газа и материала катода.

Перенос распыляемого материала от мишени к поверхности конденсации
Зависит от :
средней энергии распыленных частиц; углового распределения; давления рабочего газа;
расстояния между распыляемой и приемной поверхностями;
наличия электрических и магнитных полей, определяющих движение ионизированных атомов распыленного материала.

ВАХ самостоятельного
газового разряда
1.пробой и зажигание разряда (1,5 — 4 кВ);
2.установившийся режим;
3.аномальный тлеющий разряд;
4.дуговой разряд.

Магнетронная распылительная
система |
6 |
7 |
|
3 |
4 |
5 |
|
||
|
|
|
|
- + |
|
-
N S
N
2 1
1 – катод-мишень, 2 – магнитная система, 3 – источник питания, 4 - анод, 5 – траектория движения электрона, 6 - зона распыления, 7 - силовые линии магнитного поля.
